[发明专利]一种金属电迁移结构有效
| 申请号： | 201410106505.6 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103887282A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 尹彬锋;钱燕妮;于赫薇 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 金属 迁移 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种金属电迁移结构，其特征在于，所述金属电迁移结构包括：测试金属层、过渡金属层、第一互连线、第二互连线和连接结构；所述测试金属层的两端分别通过一第一互连线与一所述过渡金属层连接，每个所述过渡金属层还通过至少两个所述第二互连线与一连接结构连接。
2.根据权利要求1所述的金属电迁移结构，其特征在于：所述金属电迁移结构应用于半导体器件结构中金属层电迁移测试结构工艺中。
3.根据权利要求1所述的金属电迁移结构，其特征在于：每个所述连接结构均包括若干连接金属层，且通过所述第二互连线依次叠加连接，以将所述若干连接金属层串联。
4.根据权利要求3所述的金属电迁移结构，其特征在于：相邻的两个连接金属层之间的均至少通过两个所述第二互连线连接。
5.根据权利要求1所述的金属电迁移结构，其特征在于：每个所述过渡金属层的厚度小于1μm。
6.根据权利要求3所述的金属电迁移结构，其特征在于：所述金属电迁移结构还包括两金属垫，且每个所述金属垫均通过一所述连接结构与所述测试金属层连接，以用于对所述测试金属层进行电迁移测试工艺。
7.根据权利要求6所述的金属电迁移结构，其特征在于：每个所述连接金属层均与所述金属垫电连接。
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