[发明专利]一种SEM样品制备方法无效
| 申请号： | 201410106490.3 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN103926120A | 公开（公告）日： | 2014-07-16 |
| 发明（设计）人： | 郑春生;张志刚;徐灵芝;张文广 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N1/32 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sem 样品 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种SEM样品制备方法，其特征在于，包括下述步骤：
步骤1、提供一具有待填充沟槽的半导体结构，采用层间介质层高纵深比制程工艺对所述沟槽进行填充；
步骤2、进行热处理；
步骤3、酸液腐蚀形成SEM样品。
2.如权利要求1所述一种SEM样品制备方法，其特征在于，所述方法还包括步骤4，采用SEM对所述SEM样品进行失效分析。
3.如权利要求1所述一种SEM样品制备方法，其特征在于，步骤2所述热处理为氮气热处理，温度为300℃～500℃。
4.如权利要求1所述一种SEM样品制备方法，其特征在于，所述氮气浓度为：5L/min～20L/min。
5.如权利要求1所述一种SEM样品制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为：400℃。
6.如权利要求1所述一种SEM样品制备方法，其特征在于，所述热处理的时间为：15min～2h。
7.如权利要求1所述一种SEM样品制备方法，其特征在于，步骤3所述酸液为氢氟酸。
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