[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，具有如下工序：

工序(a)，即准备第1半导体芯片和第2半导体芯片的工序，所述第1半导体芯片具有第1主面、以及该第1主面的相反侧的第2主面；所述第2半导体芯片具有第1主面、以及该第1主面的相反侧的第2主面；以及

工序(b)，即以使所述第1半导体芯片的第2主面与所述第2半导体芯片的第1主面对置的方式在所述第1半导体芯片上搭载所述第2半导体芯片的工序，

在所述第1半导体芯片的第2主面上配置有按矩阵状地配置的多个电极垫和识别标志，

在所述第2半导体芯片的第1主面上配置有与所述第1半导体芯片的所述多个电极垫对应的多个突起电极，

所述工序(b)包括：

工序(b1)，即对包括所述第1半导体芯片的第2主面上的所述识别标志的识别范围进行成像并对所述识别范围的图样进行识别的工序；

工序(b2)，即根据对所述识别范围的图样进行识别而得到的结果，将所述第1半导体芯片的所述多个电极垫与所述第2半导体芯片的所述多个突起电极进行位置对准的工序；以及

工序(b3)，即在所述第1半导体芯片上搭载所述第2半导体芯片，对所述第1半导体芯片的所述多个电极垫和所述第2半导体芯片的所述多个突起电极进行电连接的工序，

所述识别范围的图样与所述多个电极垫的阵列图样的任何部分都不相同。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述识别标志具有第1图案，

所述多个电极垫的各个电极垫的面积相同，

所述第1图案的面积与所述多个电极垫的各个电极垫的面积不相同。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述识别标志的所述第1图案的面积比所述多个电极垫的各个电极垫的面积都大。

4.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述识别标志的所述第1图案的面积比所述多个电极垫的各个电极垫的面积都小。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述识别标志具有第1图案和第2图案，而且所述第1图案和第2图案的间距比所述多个电极垫的各个电极垫的间距大。

6.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述识别标志具有第3图案，而且所述第1图案和所述第3图案的间距比所述多个电极垫的各个电极垫的间距大。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

在以所述第1图案为基准时，将所述第2图案配置在第1方向上，且将所述第3图案配置在与所述第1方向垂直相交的第2方向上。

8.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述识别标志的所述第1图案与第2图案的面积相等；

所述第1图案与第2图案的面积与所述多个电极垫的各个电极垫的面积不相同。

9.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述识别标志的所述第1图案与第2图案的面积相等；

所述第1图案与第2图案的面积与所述多个电极垫的各个电极垫的面积相等。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

包含所述识别标志的所述识别范围具有配置有多个图案的第1区域和没有配置图案的第2区域。

11.如权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述识别标志的所述多个图案的各个图案的面积相同，且与所述多个电极垫的各个电极垫的面积不相同。

12.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，

所述工序(b)是通过芯片搭载机进行的，所述芯片搭载机具有：对包含所述识别标志的所述识别范围的图样进行成像的照相机；保存由所述照相机成像而得到的图像数据并处理所述图像数据的识别单元；以及根据所述识别单元所处理的所述图像数据来定位并搭载半导体芯片的芯片搭载单元；

所述工序(b2)包括：将预先保存在所述识别单元中的所述识别范围的图样的图像数据与新成像的所述识别范围的图样的图像数据进行比较的工序。