[发明专利]半导体器件金属化系统和方法

权利要求书

1.一种处理半导体器件的方法，所述方法包括：

将工件放置在金属化系统中，其中，所述工件包括设置在所述工件上的低介电常数(K)材料，所述低介电常数材料具有小于3.9的介电常数值，所述金属化系统包括主机机架和接近所述主机机架设置的多个模块，其中，所述多个模块之一包括物理汽相沉积(PVD)模块，并且所述多个模块之一包括UV固化模块；以及

使用所述金属化系统影响所述工件；其中，影响所述工件包括：

将所述工件放置在所述UV固化模块中；以及

在200℃至400℃的温度下、在具有He、Ar或N₂的周围环境气体中以及在0.1托至10托的压力下，在所述UV固化模块中对所述工件执行UV完全固化工艺或UV局部固化工艺；

所述方法还包括：在所述UV完全固化工艺或所述UV局部固化工艺之后，执行介电常数值恢复步骤。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，执行所述UV完全固化工艺或所述UV局部固化工艺改变所述低介电常数材料的介电常数值，并且影响所述工件包括：在150℃至400℃的温度下、在具有He、Ar、N₂或含碳硅烷的周围环境气体中以及在1托至100托的压力下，在所述UV固化模块中对所述工件执行介电常数值恢复工艺；所述含碳硅烷包括选自由C_xH_ySi、C_xH_yO_zSi、C_xH_yN_vSi、C_xH_yO_zN_vSi以及它们的组合所组成的组的化学物质。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，影响所述工件包括：

将所述工件放置在所述UV固化模块中；以及

在100℃至600℃的温度下、在具有Ar、He、N₂、H₂、NH₃、O₃、CO₂、或O₂的周围环境气体中以及在0.1托至10托的压力下，在所述UV固化模块中对所述工件执行UV脱气工艺或UV预清洁工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个模块之一包括势垒模块，并且影响所述工件包括：

将所述工件放置在所述势垒模块中；

在所述势垒模块中，在所述工件上方形成势垒层；

从所述势垒模块去除所述工件；

将所述工件放置在所述UV固化模块中；以及

在100℃至600℃的温度下、在具有Ar、He、N₂、H₂、NH₃、SiH₄或Ne的周围环境气体中以及在0.1托至10托的压力下，在所述UV固化模块中对所述工件执行后势垒层UV处理。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，影响所述工件包括：

将所述工件放置在所述物理汽相沉积模块中；以及

在所述物理汽相沉积模块中，在所述工件上方形成材料层。

6.一种处理半导体器件的方法，所述方法包括：

在工件上方形成低介电常数(K)材料，所述低介电常数材料具有小于3.9的介电常数值；

蚀刻所述低介电常数材料；

将所述工件放置在金属化系统中，所述金属化系统包括物理汽相沉积(PVD)模块和UV固化模块；

在所述UV固化模块中固化所述低介电常数材料；以及

预清洁所述低介电常数材料；

其中，固化所述低介电常数材料改变所述低介电常数材料的介电常数值，并且所述方法进一步包括：在固化所述低介电常数材料之后，在所述UV固化模块中执行介电常数值恢复工艺，以恢复所述低介电常数材料的介电常数值。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，固化所述低介电常数材料包括：完全或局部固化所述低介电常数材料。