[发明专利]PWM驱动电路

权利要求书

1.一种PWM驱动电路，包括驱动模块、高侧前级驱动模块和低侧前级驱动模块，其特征在于，还包括分别与所述驱动模块、高侧前级驱动模块和低侧前级驱动模块连接的过流保护电路，所述过流保护电路包括：

电流探测模块，用于根据所述高侧前级驱动模块和低侧前级驱动模块输出的PWM信号，对所述驱动模块中的高侧驱动电流和低侧驱动电流进行实时探测，并获取高侧探测电流和低侧探测电流；

过流检测模块，用于接收所述电流探测模块获取到的高侧探测电流和低侧探测电流，且在所述高侧探测电流大于高侧设定值时输出的高侧电平发生翻转和/或所述低侧探测电流大于低侧设定值时输出的低侧电平发生翻转；

逻辑控制模块，用于对所述过流检测模块输出的高侧电平和低侧电平进行逻辑综合，且在所述高侧电平和/或所述低侧电平发生翻转时输出过流保护信号至所述高侧前级驱动模块和所述低侧前级驱动模块；

其中，所述高侧前级驱动模块和所述低侧前级驱动模块所输出的PWM信号相位相反；

所述过流检测模块包括高侧过流检测单元和低侧过流检测单元；

所述高侧过流检测单元包括第一电阻、第二电阻、第三MOS管、第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管、第七MOS管、第八MOS管、第九MOS管和第十MOS管；

所述第三MOS管的栅极与所述第四MOS管的栅极连接，且分别与所述第三MOS管的漏极和所述第五MOS管的源极连接，所述第三MOS管的源极与所述驱动模块的高侧电流输出端连接，且经由所述第一电阻与一供电端连接；所述第五MOS管的栅极与所述第六MOS管的栅极连接，且分别与所述第五MOS管的漏极和所述第七MOS管的漏极连接；所述第七MOS管的栅极与所述第八MOS管的栅极连接，且连接第一偏置电压输入端，所述第七MOS管的源极与所述第九MOS管的漏极连接，所述第九MOS管的栅极与所述第十MOS管的栅极连接，且连接第二偏置电压输入端，所述第九MOS管的源极接地；

所述第四MOS管的源极经由所述第二电阻与所述供电端连接，所述第四MOS管的漏极与所述第六MOS管的源极连接，所述第六MOS管的漏极与所述第八MOS管的漏极连接，且与所述逻辑控制模块的高侧电平输入端连接，所述第八MOS管的源极与所述第十MOS管的漏极连接，所述第十MOS管的源极接地。

2.如权利要求1所述的PWM驱动电路，其特征在于，所述电流探测模块包括第一探测输入端、第二探测输入端、第一探测输出端、第二探测输出端，所述过流检测模块包括高侧电流输入端、低侧电流输入端、高侧电平输出端、低侧电平输出端、高侧控制端和低侧控制端，所述逻辑控制模块包括高侧电平输入端、低侧电平输入端和逻辑输出端；

所述第一探测输入端、第二探测输入端分别与所述驱动模块的高侧电流输出端、低侧电流输出端对应连接，所述第一探测输出端、第二探测输出端分别与所述高侧电流输入端、低侧电流输入端对应连接；所述高侧电平输出端、低侧电平输出端分别与所述高侧电平输入端、低侧电平输入端对应连接；所述逻辑输出端经由所述高侧前级驱动模块与所述驱动模块的高侧驱动端连接，且经由所述低侧前级驱动模块与所述驱动模块的低侧驱动端连接；所述高侧控制端分别与所述高侧前级驱动模块的控制信号输出端和所述驱动模块的高侧驱动端连接，所述低侧控制端分别与所述低侧前级驱动模块的控制信号输出端和所述驱动模块的低侧驱动端连接。

3.如权利要求2所述的PWM驱动电路，其特征在于，所述电流探测模块包括第一MOS管和第二MOS管；

所述第一MOS管的栅极分别与所述高侧前级驱动模块的控制信号输出端和所述驱动模块的高侧驱动端连接，所述第一MOS管的源极与所述驱动模块的高侧电流输出端连接，所述第一MOS管的漏极与所述过流检测模块的高侧电流输入端连接；

所述第二MOS管的栅极分别与所述低侧前级驱动模块的控制信号输出端和所述驱动模块的低侧驱动端连接，所述第二MOS管的漏极与所述驱动模块的低侧电流输出端，所述第二MOS管的源极与所述过流检测模块的低侧电流输入端连接。

4.如权利要求3所述的PWM驱动电路，其特征在于，所述第一MOS管和第二MOS管均为NMOS管。