[发明专利]半色调掩膜版、阵列基板及其制作方法、显示装置

权利要求书

1.一种半色调掩膜版，用于阵列基板包含的有源层图案、以及位于所述有源层图案上方的源极图案、漏极图案和数据线图案的制作，其中：所述阵列基板的表面包含所述源极图案、漏极图案和数据线图案对应的A区域，所述有源层图案在所述源极图案和漏极图案之间的区域对应的B区域，以及除所述A区域和B区域以外的C区域，其特征在于，

所述半色调掩膜版的半透光区域对应所述C区域中的部分区域和所述B区域。

2.如权利要求1所述的半色调掩膜版，其特征在于，所述半色调掩膜版的半透光区域对应所述C区域中像素显示区域以外的部分或全部区域。

3.如权利要求1所述的半色调掩膜版，其特征在于，所述半色调掩膜版的半透光区域对应所述C区域中与所述B区域具有间隙的部分或全部区域。

4.如权利要求1所述的半色调掩膜版，其特征在于，所述半色调掩膜版的完全不透光区域对应所述A区域，且

所述半色调掩膜版的半透光区域对应所述C区域中与所述A区域无间隙的部分或全部区域。

5.如权利要求1～4任一所述的半色调掩膜版，其特征在于，所述半色调掩膜版的半透光区域对应所述C区域中位于所述数据线图案两侧、且与所述数据线图案之间无间隙的区域。

6.如权利要求1所述的半色调掩膜版，其特征在于，所述C区域中每个与所述半色调掩膜版的半透光区域对应的独立区域在与所述数据线图案垂直的方向上的尺寸值的取值范围为：0.5微米～1微米。

7.一种采用如权利要求1所述的半色调掩膜版制作阵列基板的方法，其特征在于，该方法包括：

采用所述半色调掩膜版，通过一次掩模构图工艺，形成阵列基板的有源层图案、以及位于所述有源层图案上方的源极图案、漏极图案和数据线图案。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，形成所述有源层图案、以及位于所述有源层图案上方的源极图案、漏极图案和数据线图案，具体包括：

依次沉积半导体层和金属层；

在所述金属层上涂布光刻胶；

利用所述半透式掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域；其中，所述光刻胶完全保留区域对应所述A区域，所述光刻胶半保留区域对应C区域中的部分区域和所述B区域；

利用刻蚀工艺去除掉所述光刻胶完全去除区域的半导体层和金属层；

利用等离子体灰化工艺去除掉所述光刻胶半保留区域的光刻胶；

利用刻蚀工艺去除掉所述光刻胶半保留区域的金属层；

剥离掉所述光刻胶完全保留区域的光刻胶。

9.一种阵列基板，所述阵列基板的表面包含源极图案、漏极图案和数据线图案对应的A区域，有源层图案在所述源极图案和漏极图案之间的区域对应的B区域，以及除所述A区域和B区域以外的C区域，其特征在于，包括：

位于所述C区域中的部分区域、所述A区域和所述B区域对应位置的有源层图案，以及，

位于所述A区域对应的有源层图案上方的源极图案、漏极图案和数据线图案。

10.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的阵列基板。