[发明专利]实现线电压检测控制的电路结构有效

专利信息
申请号: 201410104359.3 申请日: 2014-03-20
公开(公告)号: CN103840639A 公开(公告)日: 2014-06-04
发明(设计)人: 田剑彪;郭晓东;吴伟江;朱振东 申请(专利权)人: 绍兴光大芯业微电子有限公司
主分类号: H02M1/00 分类号: H02M1/00;G01R19/00
代理公司: 上海智信专利代理有限公司 31002 代理人: 王洁
地址: 312000*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 实现 电压 检测 控制 电路 结构
【权利要求书】:

1.一种实现线电压检测控制的电路结构,其特征在于,所述的电路结构包括第一MOS管、第三电阻、第四MOS管和第四电阻,所述的第一MOS管为高压启动晶体管,所述的第一MOS管的漏极通过所述的第三电阻连接至被采样的线电压端口,所述的第一MOS管的源极连接至输出供电端,所述的第四MOS管的栅极输入一采样时钟信号,所述的第四MOS管的源极通过所述的第四电阻连接至接地端,所述的第四MOS管的漏极与所述的第一MOS管的源极相连接。

2.根据权利要求1所述的实现线电压检测控制的电路结构,其特征在于,所述的电路结构还包括第二二极管,所述的第一MOS管的源极通过所述的第二二极管连接至输出供电端。

3.根据权利要求1所述的实现线电压检测控制的电路结构,其特征在于,所述的电路结构还包括第三MOS管,所述的第三MOS管的栅极输入一使能信号,所述的第三MOS管的漏极连接所述的第一MOS管的栅极,所述的第三MOS管的源极连接至接地端。

4.根据权利要求3所述的实现线电压检测控制的电路结构,其特征在于,所述的电路结构还包括第一二极管,所述的第三MOS管的源极通过所述的第一二极管连接至接地端。

5.根据权利要求3所述的实现线电压检测控制的电路结构,其特征在于,所述的电路结构还包括第一电阻,所述的第三MOS管的漏极通过所述的第一电阻连接至输出供电端。

6.根据权利要求3所述的实现线电压检测控制的电路结构,其特征在于,所述的电路结构还包括第二电阻、电容和第二MOS管,所述的第二MOS管的源极连接至输出供电端,所述的第二MOS管的漏极连接至所述的第一MOS管的栅极,所述的第二MOS管的栅极通过所述的第二电阻连接至输出供电端,所述的电容连接于所述的第二MOS管的栅极和第一MOS管的源极之间。

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