[发明专利]实现线电压检测控制的电路结构有效
| 申请号: | 201410104359.3 | 申请日: | 2014-03-20 |
| 公开(公告)号: | CN103840639A | 公开(公告)日: | 2014-06-04 |
| 发明(设计)人: | 田剑彪;郭晓东;吴伟江;朱振东 | 申请(专利权)人: | 绍兴光大芯业微电子有限公司 |
| 主分类号: | H02M1/00 | 分类号: | H02M1/00;G01R19/00 |
| 代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁 |
| 地址: | 312000*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 实现 电压 检测 控制 电路 结构 | ||
1.一种实现线电压检测控制的电路结构,其特征在于,所述的电路结构包括第一MOS管、第三电阻、第四MOS管和第四电阻,所述的第一MOS管为高压启动晶体管,所述的第一MOS管的漏极通过所述的第三电阻连接至被采样的线电压端口,所述的第一MOS管的源极连接至输出供电端,所述的第四MOS管的栅极输入一采样时钟信号,所述的第四MOS管的源极通过所述的第四电阻连接至接地端,所述的第四MOS管的漏极与所述的第一MOS管的源极相连接。
2.根据权利要求1所述的实现线电压检测控制的电路结构,其特征在于,所述的电路结构还包括第二二极管,所述的第一MOS管的源极通过所述的第二二极管连接至输出供电端。
3.根据权利要求1所述的实现线电压检测控制的电路结构,其特征在于,所述的电路结构还包括第三MOS管,所述的第三MOS管的栅极输入一使能信号,所述的第三MOS管的漏极连接所述的第一MOS管的栅极,所述的第三MOS管的源极连接至接地端。
4.根据权利要求3所述的实现线电压检测控制的电路结构,其特征在于,所述的电路结构还包括第一二极管,所述的第三MOS管的源极通过所述的第一二极管连接至接地端。
5.根据权利要求3所述的实现线电压检测控制的电路结构,其特征在于,所述的电路结构还包括第一电阻,所述的第三MOS管的漏极通过所述的第一电阻连接至输出供电端。
6.根据权利要求3所述的实现线电压检测控制的电路结构,其特征在于,所述的电路结构还包括第二电阻、电容和第二MOS管,所述的第二MOS管的源极连接至输出供电端,所述的第二MOS管的漏极连接至所述的第一MOS管的栅极,所述的第二MOS管的栅极通过所述的第二电阻连接至输出供电端,所述的电容连接于所述的第二MOS管的栅极和第一MOS管的源极之间。
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H02M 用于交流和交流之间、交流和直流之间、或直流和直流之间的转换以及用于与电源或类似的供电系统一起使用的设备;直流或交流输入功率至浪涌输出功率的转换;以及它们的控制或调节
H02M1-00 变换装置的零部件
H02M1-02 .专用于在静态变换器内的放电管产生栅极控制电压或引燃极控制电压的电路
H02M1-06 .非导电气体放电管或等效的半导体器件的专用电路,例如闸流管、晶闸管的专用电路
H02M1-08 .为静态变换器中的半导体器件产生控制电压的专用电路
H02M1-10 .具有能任意地用不同种类的电流向负载供电的变换装置的设备,例如用交流或直流
H02M1-12 .减少交流输入或输出谐波成分的装置





