[发明专利]光刻机曝光参数的获取方法

说明书

技术领域

本发明涉及光刻技术领域，具体而言，涉及一种光刻机曝光参数的获取方法。

背景技术

如图1所示为光刻处理过程的示意图，其中，光刻版102上的图形经过光刻机104的曝光处理后，被显示在硅片106上。由于半导体行业（以及其他如LED、光伏电池、LCD、PCB等有关光刻工艺的制造领域）采用平面光刻工艺，一层层逐次作业，作业到第二层以后才可能发现第一层次的错误，因而曝光程序的参数计算至关重要，且要求不能出任何错误，否则将会直接导致产品的报废。

光刻机本身只能支持一种曝光作业方式，即对单版形式的光刻版的简单曝光；在实践过程中，通过行业内的不断摸索，逐渐发现了一种通过对曝光参数的设置，使得光刻机仍然以原本的方式工作，但却能够支持如复合光刻版和特殊设计的曝光方式，比如插花设计等。

然而，由于各种曝光情况纷繁复杂，使得相关技术中对于曝光参数的设置，一种情况下，主要是基于技术人员的经验设置，对于技术人员的要求较高；另一种情况下，则是需要反复的试探、实践，容易造成大量设备、材料、人工的浪费，且效率低下、效果不一。

因此，如何提出一种通用、简单的曝光参数设置方式，使得提高工作效率和计算准确性，成为行业目前亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明正是基于上述问题，提出了一种新的技术方案，可以根据用户对于硅片上的实际光刻需求，推算对于光刻机的曝光参数设置，从而提供一种通用、准确的曝光参数计算方式，简化了曝光参数的计算过程。

有鉴于此，本发明提出了一种光刻机曝光参数的获取方法，包括：解析接收到的参数输入指令，以获取在硅片上沿水平方向的第一期望步进长度和沿竖直方向的第二期望步进长度；根据所述第一期望步进长度和所述第二期望步进长度，计算对应的光刻机曝光参数。

在该技术方案中，鉴于对光刻版及硅片的参数设置的结果，需要在硅片上进行体现，因而直接根据技术人员对于硅片上的步进需求，推算出光刻机的曝光参数，一方面满足技术人员的使用需求和使用心理，另一方面能够准确地计算曝光参数，没有经验方面的要求，也不需要反复试探性地执行光刻操作，有助于提高参数的设置效率，避免试探操作时造成对光刻过程中机台、材料、人工的浪费。

在上述技术方案中，优选地，所述光刻机曝光参数包括：所述硅片上的曝光区域的在水平方向上的第一排列个数和在竖直方向上的第二排列个数。

在该技术方案中，第一期望步进长度和第二期望步进长度，对应于每个曝光区域在硅片上的长度（水平方向）和宽度（竖直方向）情况，即实际上反应了技术人员希望以何种具体图形（光刻版上的图形选取全部或者一部分曝光转移到硅片）和布局（硅片上的图形的实际布局），对光刻版及硅片上的图形进行光刻处理。因而，基于技术人员所期望的步进距离和硅片的实际大小，能够确定在硅片上的曝光区域的数量。其中，光刻机以每个曝光区域为单位操作，将光刻版上的图形曝光生成在每个曝光区域内。

在上述技术方案中，优选地，所述第一排列个数所述第二排列个数其中，Φ为所述光刻版的直径长度，Px为所述第一期望步进长度，Py为所述第二期望步进长度。

在该技术方案中，由于硅片的形状为圆形（底部有一平边，相当于在整个圆形的底部截去一部分），使得在边缘位置的区域在水平/垂直距离上小于第一/第二期望步进长度，但仍将该区域作为一个曝光区域。

在上述技术方案中，优选地，所述光刻机曝光参数包括：所述硅片上沿竖直方向的偏差补偿值（Map offset）：

其中，为中间值，Y为所述硅片上的曝光区域的在竖直方向上的排列个数，Py为所述第二期望步进长度，Φ为所述硅片的直径长度，l为所述光刻版上的平边长度，h为所述光刻版上的激光打码高度，INT(a)为小于或等于a的最大整数。

在该技术方案中，提出了对于整个硅片表面所有曝光图形完全相同情况下，对于偏差补偿值的计算公式。其中，硅片的平边部分存在激光打码，h具体为打上的激光码的最高点与平边的距离。

在上述任一技术方案中，优选地，还包括：解析所述参数输入指令，获取光刻版上的待曝光图形中的测试图形在竖直方向上的实际高度；根据所述第一期望步进长度、所述第二期望步进长度和所述实际高度，计算所述光刻机曝光参数。

在该技术方案中，对于更多的曝光方式下，光刻版上都会同时存在测试图形和主体图形，则需要进一步根据测试图形的实际高度，从而实现在这些情况下的曝光参数的准确计算。