[发明专利]低背型积层陶瓷电容器

说明书

技术领域

本发明涉及一种高度尺寸比宽度尺寸小的低背型积层陶瓷电容器。

背景技术

低背型积层陶瓷电容器(参照下述专利文献1)由于高度尺寸比宽度尺寸小，因此，大体上来说与高度尺寸为宽度尺寸以上的积层陶瓷电容器相比，挠曲强度较低。

而且，一股来说是在基板的一面焊接低背型积层陶瓷电容器后，用楔支撑该基板的一面的状态下，利用夹具以固定速度向下侧按压另一面上相当于电容器焊接部位的部位使其变形，用该变形过程中低背型积层陶瓷电容器产生特定比例(％)以上的电容下降时的夹具的压入量(单位mm)来表示所述挠曲强度。

该低背型积层陶瓷电容器对于安装了该低背型积层陶瓷电容器的电路基板的薄型化、以及组入该电路基板的手机或智能手机等移动设备的薄型化有用。但是，如上所述低背型积层陶瓷电容器的挠曲强度较低，因此，当由于热冲击等导致电路基板产生挠曲时有可能会产生电容下降等功能故障。

[背景技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]日本专利特开2012-028458号公报

发明内容

[发明所要解决的问题]

本发明的目的在于提供一种挠曲强度优秀的低背型积层陶瓷电容器。

[解决问题的技术手段]

为了达成所述目的，本发明是一种低背型积层陶瓷电容器，在大致长方体形状的电介质芯片的长度方向端部分别具备外部电极，且高度尺寸比宽度尺寸小，所述电介质芯片具有隔着电容形成用电介质层在高度方向积层的多个内部电极层、及设为分别覆盖高度方向两侧的内部电极层的保护用电介质层，所述外部电极分别具有覆盖所述电介质芯片的长度方向端面的端面部、及与该端面部连续而覆盖所述电介质芯片的至少高度方向两面的一部分的回绕部，所述多个内部电极层的一部分的端连接于所述外部电极的其中一个端面部，且其他部分的端连接于所述外部电极的另一个端面部，将所述电介质芯片的保护用电介质层各自的厚度尺寸设为t11c、将所述外部电极各自的回绕部的厚度尺寸设为t12b时，该t11c及t12b满足t11c＜t12b的条件。

[发明的效果]

根据本发明，可以提供一种挠曲强度优秀的低背型积层陶瓷电容器。

本发明的所述目的及其他目的、各目的相应的特征和效果，可通过以下说明和附图而明了。

附图说明

图1是应用了本发明的低背型积层陶瓷电容器的俯视图。

图2是图1的A-A线剖视图。

图3是图2的B部放大图。

图4是表示各样品1A～1D的规格及挠曲强度的图。

图5是表示各样品2A～2D的规格及挠曲强度的图。

图6是表示图1～图3所示的低背型积层陶瓷电容器的变化例的低背型积层陶瓷电容器的宽度方向侧视图。

具体实施方式

首先，引用图1～图3，说明应用了本发明的低背型积层陶瓷电容器10(以下仅称为低背型电容器10)的结构。

图1～图3所示的低背型电容器10在大致长方体形状的电介质芯片11的长度方向端部分别具备外部电极12，高度尺寸H10比宽度尺寸W10小，且长度尺寸L10比宽度尺寸W10大。

电介质芯片11具有隔着电容形成用电介质层11b而在高度方向积层的多个(图2中为10个)内部电极层11a、及设为分别覆盖高度方向两侧的内部电极层11a的保护用电介质层11c。在图2中，为了便于图示，将内部电极层11a的总数设为10，但例如高度尺寸H10为150μm以下的低背型电容器10中内部电极层11a的实际总数为15以上。

除了电介质芯片11的各内部电极层11a以外的部分、即各电容形成用电介质层11b及各保护用电介质层11c的材料是使用电介质陶瓷，优选使用ε＞1000或等级2(高介电常数系)的电介质陶瓷，各电容形成用电介质层11b的厚度尺寸大体相同，各保护用电介质层11c的厚度尺寸t11c(参照图3)也大体相同。作为用于各电容形成用电介质层11b及各保护用电介质层11c的电介质陶瓷的具体例，列举钛酸钡、钛酸锶、钛酸钙、钛酸镁、锆酸钙、钛酸锆酸钙、锆酸钡、或氧化钛。另外，电介质芯片11的各内部电极层11a的材料是使用金属，各内部电极层11a的厚度尺寸和俯视形状(大体矩形)大致上相同。作为用于各内部电极层11a的金属的具体例，列举镍、铜、钯、铂、银、金、或它们的合金。