[发明专利]一种增加LED芯片侧壁出光的方法在审
申请号: | 201410102916.8 | 申请日: | 2014-03-12 |
公开(公告)号: | CN104916744A | 公开(公告)日: | 2015-09-16 |
发明(设计)人: | 申加兵;夏伟;王德晓;王贤洲;陈康 | 申请(专利权)人: | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00;H01L33/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 261061 *** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 增加 led 芯片 侧壁 方法 | ||
1.一种增加LED芯片侧壁出光的方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1)在减薄后的LED圆片的背面涂覆一层厚度为2-3μm的光刻胶,经过曝光、显影后得到与圆片正面一一对应的圆弧状的图形,所述相邻芯片的圆弧与圆弧的间隙之间为光刻胶,其他区域无光刻胶保护;
(2)将步骤(1)所述圆片放入到蒸镀室中,在室温下,采用电子束蒸镀的方法,对圆片背面蒸镀一层厚度为3000-5000埃的高反射率的金属背镜,形成金属背镀层;
(3)用355nm或1046nm激光划片机沿圆片背面的圆弧间隙,使激光光束并排划1-2次;
(4)将经过步骤(3)所述划片后的圆片倒膜后正面向上,用裂片机裂成一粒粒独立的芯片。
2.如权利要求1所述的一种增加LED芯片侧壁出光的方法,其特征在于,所述步骤(1)中相邻芯片间切割道设计成圆弧状、且相互切合,圆弧与圆弧之间最短距离留5-20μm的间隙,圆弧的内径为3-10μm。
3.如权利要求1所述的一种增加LED芯片侧壁出光的方法,其特征在于,所述步骤(2)中高反射率金属背镜为Al、Ag、Au中一种或几种的组合;得到的金属背镀层的反射率为75%-90%。
4.如权利要求1所述的一种增加LED芯片侧壁出光的方法,其特征在于,所述步骤(3)中355nm或1046nm激光划片机功率为1.5W,划片速率为80-90mm。
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