[发明专利]检测气体的传感器装置、检测气体的传感器装置运行方法和检测气体的传感器装置制造方法

权利要求书

1.用于检测一种气体的传感器装置（100），具有检测区域（102）并且具有通过连接接片（106）与所述检测区域（102）电地且机械地连接的读出区域（104），其中，所述读出区域（104）、检测区域（102）和连接接片（106）由基片构成，并且检测区域（102）和连接接片（106）通过凹坑（108）从基片中镂空地形成，其中，所述检测区域（102）具有用于提供与所述气体有关的测量信号的离子传导区域；并且形成用于读出所述测量信号的读出区域（104）。

2.按照权利要求1所述的传感器装置（100），在所述的传感器装置中，检测区域（102）的导热能力大于连接接片（106）的和/或读出区域（104）的导热能力。

3.按照前述权利要求中的任一项所述的传感器装置（100），在所述传感器装置中，读出区域（104）包括一种集成到基片中的电路，所述电路用来对于由检测区域所提供的测量信号进行分析。

4.按照前述权利要求中的任一项所述的传感器装置（100），在所述传感器装置中，读出区域（104）包括至少一个用来将测量信号继续输送到分析电路的接头，其中，分析电路用来对于由检测区域所提供的测量信号进行分析。

5.按照前述权利要求中的任一项所述的传感器装置（100），所述传感器装置构成为微系统技术元件。

6.按照前述权利要求中的任一项所述的传感器装置（100），在所述传感器装置中，连接接片（106）具有至少一个用于使所述检测区域（102）与读出区域（104）进行电耦合的电导线（112）。

7.按照前述权利要求中的任一项所述的传感器装置（100），在所述传感器装置中，检测区域（102）具有用于提供与气体有关的另一测量信号的另一离子传导区域；并且形成用于读出所述另一测量信号的读出区域（104），其中，该离子传导区域具有不同的离子传导材料。

8.按照前述权利要求中的任一项所述的传感器装置（100），所述传感器装置具有另一连接接片（106），其中，所述连接接片（106）将检测区域（102）的面朝读出区域（104）的侧面（114）与读出区域（104）的形成了所述凹坑（108）的侧面（116）连接起来，并且所述另一连接接片（106）将检测区域（102）的、面朝读出区域（104）的、且与检测区域（102）的侧面（114）相对置的另一侧面（114）与所述读出区域（104）的、形成了所述凹坑（108）的、且与读出区域（104）的侧面（116）相对置的另一侧面（116）连接起来。

9.用于运行按照前述权利要求中的任一项所述的传感器装置（100）的方法（200），其中，所述方法（200）具有下述步骤：

- 对于检测区域（102）进行加热（202），并且

- 从传感器装置（100）的读出区域中读出（206）表示所述测量信号的测量数值。

10.按照权利要求9所述的方法（200），在所述方法中，加热步骤（202）短时地、特别是小于或者等于10秒钟长地在传感器装置（100）的运行时间内执行。

11.按照权利要求9或10所述的方法（200），在所述方法中，在加热步骤（202）中，检测区域（102）在时间上依次加热到第一温度水平和第二温度水平，其中，在读出步骤（204）中读出在第一温度水平的持续期间的测量数值，并且读出在第二温度水平的持续期间的另一测量数值。

12.对于气体进行检测的传感器装置（100）用的制造方法，其中，该制造方法具有下述步骤：

提供（302）基片，所述基片具有用于支承用来提供与气体有关的测量信号的离子传导区域的检测区域（102），具有用于读出所述测量信号的读出区域（104），并且具有用于使所述检测区域（102）与读出区域（104）进行电及机械连接的连接接片（106），并且

从所述基片中制造（304）凹坑（108），以便从该基片中镂空地形成所述检测区域（102）和连接接片（106）。

13.按照权利要求12所述的制造方法，在这种制造方法中在执行蚀刻工艺的情况下制造所述凹坑（108）。

14.按照权利要求12或者13所述的制造方法，具有在时间上在凹坑（108）的制造步骤之后将所述离子传导区域涂覆到检测区域（102）上的步骤。