[发明专利]一种产生多个电流基准的电路

权利要求书

1.一种新的基于一个参考电压和多个电阻产生多个电流基准的电路，其特征在于，至少包括：

第一电流基准发生器（1）；

第二电流基准发生器（2）；

输出电流基准（3）。

2.如权利要求1所述一种新的基于一个参考电压和多个电阻产生多个电流基准的电路，其特征在于：其中的第一电流基准发生器（1）、第二电流基准发生器（2）分别生成基于两个电阻和一个共同参考电压的电流基准；其中的输出电流基准（3）镜相第一电流基准发生器（1）或第二电流基准发生器（2）生成的电流基准，并输出给负载。

3.如权利要求2所述的第一电流基准发生器（1），其特征在于：至少包括一个电压基准（Vref）、一个运算放大器（Amp_0）、一个参考电阻（Res_0）、一个控制管（Mos_n0）、一个电流检测器（Isns_0）；其中的运算放大器（Amp_0），接收电压基准（Vref）的输出电压Vref，通过反馈环路控制控制管（Mos_n0），使流过电阻（Res_0）的电流等于电压基准与参考电阻的商（Vref/Res_0），此电流被电流检测器（Isns_0）检测。

4.如权利要求2所述的第二电流基准发生器（2），其特征在于：至少包括一个电流镜（Imr_0）、一个控制管（Mos_p1）、一个镜相管（Mos_n1）、一个电流检测器（Isns_1）；其中的电流镜（Imr_0）镜相权利要求3所述的电流检测器（Isns_0），此电流流过镜相管（Mos_n1）；通过设置适当的晶体管尺寸，在控制管（Mos_p1）和镜相管（Mos_n1）构成的环路控制下，镜相管（Mos_n1）的栅源电压与权利要求3所述的控制管（Mos_n0）的栅源电压相等；控制管（Mos_p1）的沟道电流被电流检测器（Isns_1）检测。

5.如权利要求2所述的输出电流基准（3），其特征在于：至少包括电流源（Irf_0）或电流源（Irf_1）；其中的电流源（Irf_0）镜相权利要求（3）所述的电流检测器（Isns_0），电流源（Irf_1）镜相权利要求（4）中所述的电流检测器（Isns_1）。

6.如权利要求1所述的一种新的基于一个参考电压和多个电阻产生多个电流基准的电路，其特征在于，第二电流基准发生器（2）或输出电流基准（3），可以依据权利要求4或权利要求5的原理多次生成，得到不同的电流基准。

7.如权利要求1所述的一种新的基于一个参考电压和多个电阻产生多个电流基准的电路，所使用的器件可以是但不限于金属氧化半导体器件（MOSFET），如可以使用其它半导体器件，如双极工艺器件（Bipolar）、双极互补金属氧化物半导体器件（BiCMOS）、绝缘体上硅器件（SOI）等。