[发明专利]微探针及其制备方法

权利要求书

1.一种微探针，包括主体支撑部(110)和测试探针(120)，所述测试探针(120)包括测试悬臂梁(121)，其特征在于，所述微探针还包括与主体支撑部(110)固定连接的边翼(140)，所述测试悬臂梁(121)与边翼(140)呈一整体结构；所述微探针还包括用于监测测试悬臂梁(121)与测试样品接触后所受压力大小的压力监测探针(130)；

所述压力监测探针(130)采用压阻材料制成。

2.根据权利要求1所述的微探针，其特征在于，所述压力监测探针(130)包括压力监测悬臂梁(131)，所述压力监测悬臂梁(131)与边翼(140)呈一整体结构。

3.根据权利要求1所述的微探针，其特征在于，所述边翼(140)包括SOI片的顶层硅(103)和设于SOI片的顶层硅(103)上的绝缘层(104)；所述测试探针(120)包括SOI片的顶层硅(103)和依次设于SOI片的顶层硅(103)上的绝缘层(104)和金属层(105)；所述压力监测探针(130)包括SOI片的顶层硅(103)上和依次设于SOI片的顶层硅(103)上的离子注入层(1031)、绝缘层(104)和金属层(105)。

4.根据权利要求2所述的微探针，其特征在于，所述压力监测悬臂梁(131)和测试悬臂梁(121)处于同一平面内，所述压力监测悬臂梁(131)的前端头和测试悬臂梁(121)的前端头处在同一直线上。

5.根据权利要求2所述的微探针，其特征在于，所述测试探针(120)还包括设于主体支撑部(110)上的测试电极(122)，所述测试悬臂梁(121)与测试电极(122)通过第一连接臂(123)电连接；所述压力监测探针(130)还包括设于主体支撑部(110)上的压力监测电极(132)，所述压力监测悬臂梁(131)与压力监测电极(132)通过第二连接臂(133)电连接。

6.一种微探针的制备方法，其特征在于，包括步骤：

S1：提供SOI片为基板，所述SOI片的顶层硅(103)采用N型掺杂；

S2：在SOI片上设一掩膜，形成具有压力监测探针(130)的窗口，在SOI片顶层硅(103)表面的压力监测探针(130)的窗口内进行离子注入；

S3：在进行离子注入后的SOI片顶层硅上(103)沉积绝缘层(104)；

S4：在形成压力监测悬臂梁(131)的位置对绝缘层(104)进行刻蚀；

S5：在具有刻蚀窗口的绝缘层(104)上沉积金属层(105)；

S6：对金属层(105)进行刻蚀，形成测试电极(122)、测试悬臂梁(121)的导电层以及第一连接臂(123)的导电层；同时形成压力监测电极(132)和第二连接臂(131)的导电层；

S7：对绝缘层(104)和SOI片顶层硅(103)进行刻蚀，形成测试探针(120)、压力监测探针(130)和边翼(140)；

S8：在SOI的背面对SOI的底层硅(101)和埋氧化层(102)进行刻蚀，将主体支撑部(110)外的SOI的底层硅(101)和埋氧化层(102)去除，形成微探针。