[发明专利]激光退火设备、多晶硅薄膜及其制作方法在审
| 申请号： | 201410099177.1 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103915318A | 公开（公告）日： | 2014-07-09 |
| 发明（设计）人： | 田雪雁 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/20;H01L21/268;B23K26/06 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 黄志华 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光 退火 设备 多晶 薄膜 及其 制作方法 | ||
1.一种激光退火设备，包括退火室，所述退火室内设置有激光发生器，其特征在于，所述退火室内还设置有：透过激光的退火窗体，以及位于所述退火窗体之上相对设置的两个切光板，其中，每个所述切光板的切光端面为楔形端面。
2.如权利要求1所述的激光退火设备，其特征在于，所述楔形端面为互成夹角的两个平面。
3.如权利要求2所述的激光退火设备，其特征在于，所述互成夹角的两个平面中的任一平面与退火窗体所在平面的夹角为40～50度。
4.如权利要求1所述的激光退火设备，其特征在于，所述楔形端面为半椭圆柱面或抛物柱面。
5.如权利要求1～4任一所述的激光退火设备，其特征在于，所述激光发生器为准分子激光器。
6.如权利要求5所述的激光退火设备，其特征在于，所述准分子激光器为氯化氙准分子激光器，氟化氪准分子激光器或氟化氩准分子激光器。
7.如权利要求1所述的激光退火设备，其特征在于，还包括位于所述退火室底部用于承载基板的承载台。
8.一种多晶硅薄膜的制作方法，其特征在于，包括：
形成位于基板之上的非晶硅薄膜；
采用如权利要求1～7任一项所述的激光退火设备对非晶硅薄膜进行激光退火，形成多晶硅薄膜。
9.如权利要求8所述的制作方法，其特征在于，在所述激光退火过程中，激光脉冲频率为500Hz，重叠率为92%～98%，激光扫描速率为4mm/s～16mm/s，激光能量密度为300～500mJ/cm2。
10.一种多晶硅薄膜，其特征在于，所述多晶硅薄膜采用如权利要求8或9所述的制作方法得到。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
