[发明专利]一种电子电容电路及其控制方法有效

专利信息
申请号: 201410098703.2 申请日: 2014-03-14
公开(公告)号: CN103904884A 公开(公告)日: 2014-07-02
发明(设计)人: 康龙云;黄志臻;魏业文;齐如军;冯自成 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 电子 电容 电路 及其 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种电子电容电路,其特征在于包括充放电回路、PWM控制电路和驱动电路;充放电回路包括四个IGBT与限流电感(L1)和电子电容(C1),四个IGBT分别是第一IGBT(VT1)、第二IGBT(VT2)、第三IGBT(VT3)和第四IGBT(VT4),每个IGBT的内部均反并联着一个二极管,分别是第一二极管(VD1)、第二二极管(VD2)、第三二极管(VD3)和第四二极管(VD4);PWM控制电路输出一路PWM波形经驱动电路后接第一IGBT和第四IGBT的门控级,控制第一IGBT和第四IGBT的通断,PWM控制电路输出的一路PWM波形还连接一反相器,再经驱动电路后接第二IGBT和第三IGBT的门控级,控制第二IGBT和第三IGBT的通断。

2.根据权利要求1所述的一种电子电容电路,其特征在于PWM控制电路包括顺次连接的误差放大器电路、PI调节电路和PWM产生电路。

3.根据权利要求1所述的一种电子电容电路,其特征在于PWM控制电路采用UC3842芯片及外围电路构成。

4.根据权利要求1所述的一种电子电容电路,其特征在于,第一IGBT、第二IGBT、第三IGBT和第四IGBT的门控极均接有一路PWM波形,这四路PWM产生电路的波形两两相同,第一IGBT和第四IGBT门控极所接入的PWM波形相同,第二IGBT和第三IGBT门控极所接入的PWM波形相同;第一IGBT的集电极、第二IGBT的发射极和限流电感的负端连接;第一IGBT的发射极、第三IGBT的发射极和电子电容(C1)的正端连接;第三IGBT的集电极、第四IGBT的发射极和电源的负端连接;第二IGBT的集电极、第四IGBT的集电极、电子电容(C1)的负端连接;从限流电感的正端和第三IGBT的集电极各引出一根线作为电子电容电路的两端。

5.用于权利要求1所述电子电容电路的控制方法,其特征在于,将大于100uF的大电容的充放电理论计算值Uout1作为参考,得到期望的特性充放电曲线,将该特性充放电曲线与电子电容电路两端的输出值Uout2作实时比较,PWM控制电路对两者之间的差值进行PI调节,输出引脚产生变化的PWM波形,来控制电子电容电路中的IGBT的通断,使电子电容电路两端的输出值得跟踪大电容的输出值,从而达到与大电容的充放电效果相同的动态响应。

6.根据权利要求5所述的一种电子电容电路的控制方法,其特征在于所述的四个IGBT构成两条通路对电子电容进行放电,所述的四个二极管构成两条通路对电子电容进行充电,当其中任何一个IGBT导通时,反并联在其内部的二极管便会自动截止,利用所述的四路PWM来控制这四个IGBT的通断。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南理工大学,未经华南理工大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410098703.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top