[发明专利]具有气隙的层间介质层的形成方法

权利要求书

1.一种具有气隙的层间介质层的形成方法，包括步骤：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有至少一层具有气隙的第一介质层；

对所述具有气隙的第一介质层进行化学机械研磨处理，去除部分第一介质层并暴露出一部分气隙；

在所述第一介质层的表面形成第二介质层；

对所述第二介质层进行化学机械研磨处理，去除部分第二介质层。

2.如权利要求1所述的具有气隙的层间介质层的形成方法，其特征在于，所述具有气隙的第一介质层的形成步骤包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面设有间隔排列的多个金属线，所述金属线之间具有凹槽；

在所述半导体衬底和金属线的表面形成第一介质层，所述第一介质层在所述凹槽处具有气隙。

3.如权利要求2所述的具有气隙的层间介质层的形成方法，其特征在于，所述第一介质层采用化学气相沉积工艺形成。

4.如权利要求4所述的具有气隙的层间介质层的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度范围为0～20,000埃。

5.如权利要求1所述的具有气隙的层间介质层的形成方法，其特征在于，所述第二介质层采用化学气相沉积工艺形成。

6.如权利要求5所述的具有气隙的层间介质层的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的厚度为0～20,000埃。