[发明专利]LPCVD工艺设备在审
| 申请号： | 201410098489.0 | 申请日： | 2014-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN103834932A | 公开（公告）日： | 2014-06-04 |
| 发明（设计）人： | 林敏伟;张凌越;范洁修 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455;C23C16/40 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | lpcvd 工艺设备 | ||
【权利要求书】：
1.一种LPCVD工艺设备，其特征在于，包括：反应腔室及位于所述反应腔室底部的歧管，所述歧管外设置有冷却装置。
2.如权利要求1所述的LPCVD工艺设备，其特征在于，所述冷却装置覆盖所述歧管。
3.如权利要求1所述的LPCVD工艺设备，其特征在于，所述冷却装置为内部装有冷却剂的管道。
4.如权利要求3所述的LPCVD工艺设备，其特征在于，所述管道围绕所述歧管。
5.如权利要求3所述的LPCVD工艺设备，其特征在于，所述冷却剂为液体。
6.如权利要求5所述的LPCVD工艺设备，其特征在于，所述冷却剂为水。
7.如权利要求3所述的LPCVD工艺设备，其特征在于，所述冷却剂为气体。
8.如权利要求7所述的LPCVD工艺设备，其特征在于，所述冷却剂为氮气或者二氧化碳。
9.如权利要求1～8中任一项所述的LPCVD工艺设备，其特征在于，所述歧管上设置有多个进气管路。
10.如权利要求1～8中任一项所述的LPCVD工艺设备，其特征在于，所述反应腔室内设置有保温基座。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
