[发明专利]形成高密度电容器结构的方法以及电容器结构无效

申请号：	201410097615.0	申请日：	2014-03-17
公开（公告）号：	CN103839779A	公开（公告）日：	2014-06-04
发明（设计）人：	黎坡	申请（专利权）人：	上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号：	H01L21/02	分类号：	H01L21/02;H01L23/64
代理公司：	上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237	代理人：	郑玮
地址：	201203 上海市浦东***	国省代码：	上海;31
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摘要：
搜索关键词：	形成高密度电容器结构方法以及
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【说明书】：

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，更具体地说，本发明涉及一种形成高密度电容器结构的方法以及电容器结构。

背景技术

电容器是一种由两片接近并相互绝缘的导体制成的电极组成的储存电荷和电能的器件。电容器是一种能够储藏电荷的元件。并且，电容器是电路中常见的电路元件。

随着电子信息技术的日新月异，数码电子产品的更新换代速度越来越快，对电路集成度的要求也越来越高。由此，希望的是，能够提供高密度的电容器结构。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是如何提供一种能够形成高密度电容器结构的方法以及相应的高密度电容器结构。

根据本发明的第一方面，提供了一种形成高密度电容器结构的方法，其包括：

第一步骤：在衬底上形成由单个或多个叠层构成的层叠结构，其中所述单个或多个叠层中的每个叠层都包括依次布置的第一介电层、第一电极、第二介电层和第二电极；

第二步骤：将衬底上的层叠结构中的除了与衬底直接接触的第一介电层之外的其它层的与衬底表面垂直的四个侧面进行刻蚀；

第三步骤：针对第一电极，将所述四个侧面中的一个侧面进行各向同性刻蚀，以便将第一电极进行部分刻蚀；

第四步骤：针对第二电极，将所述四个侧面中的与所述一个侧面相对的另一个侧面进行各向同性刻蚀，以便对第二电极进行部分刻蚀；

第五步骤：在所述一个侧面和所述另一个侧面上生长介质层，所述介质层填充了对第一电极进行部分刻蚀所留出的空间以及对第二电极进行部分刻蚀所留出的空间；

第六步骤：部分去除所述介质层，并仅仅留下对第一电极进行部分刻蚀所留出的空间中的介质以及对第二电极进行部分刻蚀所留出的空间中的介质；

第七步骤：在部分去除所述介质层之后的所述一个侧面和所述另一个侧面上分别形成电容电极，其中电容电极通过与衬底直接接触的第一介电层与衬底隔开。

优选地，层叠结构包括三个所述叠层。

优选地，层叠结构包括单个所述叠层。

优选地，第一电极的材料和第二电极的材料具有不同的刻蚀选择性。

根据本发明的第二方面，提供了一种电容器结构，其包括：在衬底上形成的由单个或多个叠层构成的层叠结构，其中所述单个或多个叠层中的每个叠层都包括依次布置的第一介电层、第一电极、第二介电层和第二电极；其中，层叠结构的与衬底表面垂直的一个侧面上的第一电极凹进所述一个侧面，层叠结构的与所述一个侧面相对的另一个侧面上的第二电极凹进所述另一个侧面，并且所述凹进部分填充了介质；在所述一个侧面和所述另一个侧面分别布置了电容电极，其中电容电极通过与衬底直接接触的第一介电层与衬底隔开。

优选地，层叠结构包括三个所述叠层。

优选地，层叠结构包括单个所述叠层。

由于通过使用同样的制程工艺和流程而只需增加叠层数目便可达到增加电容密度的目的，因此通过根据本发明的形成高密度电容器结构的方法形成的电容器结构理论上没有密度极限，从而可以实现高密度电容器结构。

附图说明

结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：

图1示意性地示出了根据本发明优选实施例的形成高密度电容器结构的方法的第一步骤。

图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的形成高密度电容器结构的方法的第二步骤。

图3示意性地示出了根据本发明优选实施例的形成高密度电容器结构的方法的第三步骤。

图4示意性地示出了根据本发明优选实施例的形成高密度电容器结构的方法的第四步骤。

图5示意性地示出了根据本发明优选实施例的形成高密度电容器结构的方法的第五步骤。

图6示意性地示出了根据本发明优选实施例的形成高密度电容器结构的方法的第六步骤。

图7示意性地示出了根据本发明优选实施例的形成高密度电容器结构的方法的第七步骤。