[发明专利]氮化硅高压柱状活塞杆的制作方法

权利要求书

1.一种氮化硅高压柱状活塞杆的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、提供氮化硅粉；

步骤二、将氮化硅粉制成柱状活塞杆坯体；

步骤三、将柱状活塞杆坯体放置于一高温烧结炉体内；

步骤四、将高温烧结炉体内抽成真空度为0.001～0.00001Pa的真空；

步骤五、施加200～250吨压力于柱状活塞杆坯体上，同时施加微波振动于柱状活塞杆坯体上；

步骤六、加热高温烧结炉体到1750～1800℃，然后保持该温度一段时间；

步骤七、停止加热，解除压力与微波振动，进行冷却，制成氮化硅高压柱状活塞杆。

2.如权利要求1所述的氮化硅高压柱状活塞杆的制作方法，其特征在于，所述氮化硅粉的颗粒大小为300～400nm。

3.如权利要求1所述的氮化硅高压柱状活塞杆的制作方法，其特征在于，所述步骤六中保持该预定温度的时间为2小时。

4.如权利要求1所述的氮化硅高压柱状活塞杆的制作方法，其特征在于，所述步骤五中，通过两个液压缸分别带动两个石墨压头从相反的两个方向来挤压柱状活塞杆坯体，从而实现对柱状活塞杆坯体施加压力。

5.如权利要求1所述的氮化硅高压柱状活塞杆的制作方法，其特征在于，所述步骤五中，通过两个微波振动装置分别振动来施加微波振动于柱状活塞杆坯体上。

6.如权利要求5所述的氮化硅高压柱状活塞杆的制作方法，其特征在于，所述微波振动装置的振动频率为每分钟50～150次，振幅为1～5吨。

7.如权利要求1所述的氮化硅高压柱状活塞杆的制作方法，其特征在于，所述步骤七的冷却操作包括：自然降温，降至800℃后，充入惰性气体并接通冷却水对高温烧结炉体进行强制降温，降至200℃后，继续冷却同时开始计时，达到80℃后停止冷却。

8.如权利要求7所述的氮化硅高压柱状活塞杆的制作方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气或氢气。

9.如权利要求1所述的氮化硅高压柱状活塞杆的制作方法，其特征在于，所述步骤四抽真空后，对炉体内充入惰性气体。

10.如权利要求9所述的氮化硅高压柱状活塞杆的制作方法，其特征在于，所述惰性气体为氩气或氢气。