[发明专利]多层次多介质LED发光器件封装结构有效

专利信息
申请号: 201410096137.1 申请日: 2014-03-14
公开(公告)号: CN103887406A 公开(公告)日: 2014-06-25
发明(设计)人: 高鞠 申请(专利权)人: 苏州晶品光电科技有限公司
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/50;H01L33/60
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 215211 江苏省苏州市吴江区汾*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 多层次 介质 led 发光 器件 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种多层次多介质LED发光器件封装结构,包括封装基板,所述封装基板表面贴装有LED芯片;其特征在于:所述LED芯片被设置在所述封装基板上的第一透明漫反射层;所述第一透明漫反射层的外表面上设有第一荧光层;所述第一荧光层的外表面上设置有第二透明漫反射层,所述第二透明漫反射层的外表面上设置有第二荧光层。

2.根据权利要求1所述的多层次多介质LED发光器件封装结构,其特征在于:所述的第二荧光层外表面设置有透明保护层。

3.根据权利要求1所述的多层次多介质LED发光器件封装结构,其特征在于:所述第一透明漫反射层由包含透明树脂和纳米无机填料的树脂组合物的固化材料形成;且所述纳米无机填料的平均粒径为20~100nm,且其含量为3~5wt%。

4.根据权利要求1所述的多层次多介质LED发光器件封装结构,其特征在于:所述第二透明漫反射层由包含透明树脂和纳米无机填料的树脂组合物的固化材料形成;且所述纳米无机填料的平均粒径为20~100nm,且其含量为8~10wt%。

5.根据权利要求3或4所述的多层次多介质LED发光器件封装结构,其特征在于:所述无机填料优选为选自氧化铝、氮化铝、氧化钛、钛酸钡、硫酸钡、碳酸钡、氧化锌、氧化镁、氮化硼、氧化硅、氮化硅、氮化镓或氧化锆中的一种或几种。

6.根据权利要求1所述的多层次多介质LED发光器件封装结构,其特征在于:所述的LED芯片为具有350nm到480nm的波长的蓝色LED芯片。

7.根据权利要求6所述的多层次多介质LED发光器件封装结构,其特征在于:所述第一荧光层在蓝光激发下发射黄光;所述第二荧光层在蓝光激发下发射红光。

8.根据权利要求7所述的多层次多介质LED发光器件封装结构,其特征在于:第一荧光层中所含的荧光粉由通式Ce2-x-yAlyCuxMn0.5xO3表示,其中0.2≤x≤0.4,0.3≤y≤0.5;第二荧光层中所含的荧光粉由通式Eu2-x-yYyBaxMn0.5xO3表示,其中0.1≤x≤0.2,0.2≤y≤0.3。

9.根据权利要求7所述的多层次多介质LED发光器件封装结构,其特征在于:所述第一荧光层和第二荧光层中还包含非荧光材料。

10.根据权利要求8所述的多层次多介质LED发光器件封装结构,其特征在于:所述非荧光材料为金属颗粒和/或陶瓷颗粒。

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