[发明专利]用于气体存储的多孔纳米管存储介质及方法

权利要求书

1.一种用于气体存储的多孔纳米管存储介质，包括具有多个空位缺陷的单壁碳纳米管。

2.如权利要求1所述的用于气体存储的多孔纳米管存储介质，其特征在于，所述气体包括氢气，氧气，二氧化氮。

3.如权利要求1或2所述的用于气体存储的多孔纳米管存储介质，其特征在于，所述气体为氢气时，所述空位缺陷含的空位碳原子数目小于8。

4.如权利要求1所述的用于气体存储的多孔纳米管存储介质，其特征在于，所述空位缺陷通过离子束轰击方法制造得到。

5.一种用于气体存储的方法，包括以下步骤：

1）在单壁碳纳米管上制造出多个空位缺陷；

2）在低温下，将带有空位缺陷的单壁碳纳米管放入待存储气体环境中，使得待存储气体分子被物理吸附在碳纳米管内部和外部。

6.如权利要求5所述的用于气体存储的方法，其特征在于，所述气体包括氢气，氧气，二氧化氮。

7.如权利要求5所述的用于气体存储的方法，其特征在于，步骤1）中，通过离子束轰击方法在单壁碳纳米管上制造出多个空位缺陷。

8.如权利要求5或6所述的用于气体存储的方法，其特征在于，所述气体为氢气时，步骤1）中所述空位缺陷含的空位碳原子数目小于8。

9.如权利要求5所述的用于气体存储的方法，其特征在于，步骤2）中，所述低温为100K以下，高于液氮温度。