[发明专利]半导体布置及其形成

说明书

技术领域

本发明总的来说涉及半导体领域，更具体地，涉及一种半导体布置及其形成方法。

背景技术

在诸如晶体管的半导体器件中，当将足够电压或偏压施加至器件的栅极时，电流流过源极区和漏极区之间的沟道区。当电流流过沟道区时，器件通常被认为处于“接通”状态，并且当电流不流过沟道区时，器件通常被认为处于“关闭”状态。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供了一种半导体制造方法，包括：形成具有第一工作电压的多个第一晶体管，多个第一晶体管包括在衬底的第一晶体管区域之上的多个第一栅极结构、邻近多个第一栅极结构的多个低压浅阱、以及邻近多个第一栅极结构的多个低压口袋注入区；以及邻近多个第一晶体管形成具有第二工作电压的多个第二晶体管。形成多个第二晶体管包括：在多个第一栅极结构之上、在第一晶体管区域之上并且在多个第二栅极结构之上形成第一高压光刻胶，多个第二栅极结构在衬底的第二晶体管区域之上，使得暴露邻近多个第二栅极结构的衬底的多个高压注入区和多个第二栅极结构的多个第二栅极顶部；以第一高能量执行高压LDD注入，以将第一高压掺杂物注入到多个高压注入区中，从而形成邻近多个第二栅极结构的多个高压浅阱；以及以第二高能量执行高压口袋注入，以将第二高压掺杂物注入到多个高压注入区中，从而形成邻近多个第二栅极结构的多个高压口袋注入区。

优选地，形成多个第一晶体管包括：在第二晶体管区域之上并且在多个第二栅极结构之上形成低压光刻胶，使得暴露多个第一栅极结构和邻近多个第一栅极结构的衬底的多个低压注入区；以第一低能量执行低压LDD注入，以将第一电压掺杂物注入到多个低压注入区中，从而形成多个低压浅阱；以及以第二低能量执行低压口袋注入，以将第二低压掺杂物注入到多个低压注入区中，从而形成多个低压口袋注入区。

优选地，该方法包括：在衬底之上形成第一层栅极介电材料；从衬底的第一晶体管区域去除第一层栅极介电材料，使得高压栅极电介质的第一部分留在衬底的第二晶体管区域之上；在衬底之上并且在高压栅极电介质的第一部分之上形成第二层栅极介电材料，使得低压栅极电介质留在衬底的第一晶体管区域之上，并且高压栅极电介质留在衬底的第二晶体管区域之上，其中，高压栅极电介质包括第一部分和来自第二层栅极介电材料的第二部分；在低压栅极电介质和高压栅极电介质之上形成栅电极材料层；以及图案化层栅电极材料层、低压栅极电介质和高压栅极电介质，以同时形成多个第一栅极结构和多个第二栅极结构。

优选地，该方法包括：在多个第一栅极结构、多个第二栅极结构和衬底之上形成侧壁材料层；以及图案化侧壁材料层，以同时形成邻近多个第一栅极结构的多个第一侧壁隔离物和邻近第二栅极结构的多个第二侧壁隔离物。

优选地，执行低压口袋注入包括：通过所选额定电压，注入在器件制造中使用的剂量。

优选地，多个第一晶体管与多个第二晶体管的类型不同。

优选地，执行高压LDD注入包括：注入硼、磷、砷、锑、硼、氟化硼、氮或碳中的至少一种。

优选地，执行高压口袋注入包括：注入硼、磷、砷、锑、硼、氟化硼、氮或碳中的至少一种。

根据本发明的另一方面，提供了一种半导体制造方法，包括：在衬底的第一晶体管区域和衬底的第二晶体管区域之上形成第一高压光刻胶；图案化第一高压光刻胶，以形成第一晶体管区域之上的高压光刻胶和第二晶体管区域之上的多个高压残留光刻胶，使得暴露邻近多个高压残留光刻胶的衬底的多个高压注入区；以第一高能量执行高压LDD注入，以将第一高压掺杂物注入到多个高压注入区中，从而形成邻近多个高压残留光刻胶的多个高压浅阱；以及以第二高能量执行高压口袋注入，以将第二高压掺杂物注入到多个高压注入区中，从而形成邻近多个高压残留光刻胶的多个高压口袋注入区。

优选地，该方法包括：形成第一晶体管区域中的多个第一栅极结构和第二晶体管区域中的多个第二栅极结构；在多个第一栅极结构和多个第二栅极结构之上形成第一低压光刻胶；图案化第一低压光刻胶，以在第二晶体管区域之上和多个第二栅极结构之上形成低压光刻胶，使得暴露多个第一栅极结构和邻近多个第一栅极结构的衬底的多个低压注入区；以第一低能量执行低压LDD注入，以将第一低压掺杂物注入到多个低压注入区中，从而形成邻近多个第一栅极结构的多个低压浅阱；以及以第二低能量执行低压口袋注入，以将第二低压掺杂物注入到多个低压注入区中，从而形成邻近多个第一栅极结构的多个低压口袋注入区。