[发明专利]形成高电子迁移率半导体器件的方法及其结构

说明书

在一个实施例中，形成半导体器件的方法可以包括：在半导体衬底上形成HEM器件。半导体衬底为半导体器件提供载流电极并且一个或者多个内部导体结构在半导体衬底与HEM的区域之间提供垂直电流路径。

相关申请的交叉引用

本申请要求2013年3月15日提交的申请号为61/786,596的美国临时申请的权益。

背景技术

本发明通常涉及电子设备，并且更具体地涉及半导体、其结构以及形成半导体器件的方法。

过去，半导体工业利用各种方法以形成使用至少一个III族系列半导体材料(例如氮化镓(GaN))作为半导体材料中的一个的功率半导体器件。这种功率半导体器件用于包括电源供应的各种应用和包括高电压开关电路的电动机控制器。构建在硅衬底上的GaN功率半导体器件(例如高电子迁移率晶体管(“HEMT”)器件)一直是在器件的上表面上具有源电极和漏电极的横向器件。然而，该配置很难形成与半导体器件的各种部分的连接。用金属硅氧化物半导体(MOS)晶体管封装GaN器件也很难。

因此，期望有使用GaN或者其它III族系列材料(例如提高器件连接性能以及集成能力的III族氮化物系列材料或者SiC)的半导体器件。

附图说明

图1图示了根据本发明耗尽型半导体器件的实施例的放大剖视图；

图2图示了根据本发明的另一个实施例的增强型半导体器件的实施例的放大剖视图；

图3图示了图2半导体器件的可选实施例的耗尽型半导体器件的放大剖视图；

图4示意性地图示了根据本发明的共源共栅放大电路配置；

图5A图示了根据本发明的实施例的共源共栅放大器配置中的HEMT器件和MOSFET器件的放大剖视图；

图5B和5C图示了包括制造的各个阶段处图5A的实施例的封装半导体器件的顶视图；

图6A图示了根据本发明的另一个实施例的共源共栅放大器配置中的HEMT器件和MOSFET器件的放大剖视图；

图6B和6C图示了包括制造的各个阶段处图6A的实施例的封装半导体器件的顶视图；

图7图示了根据本发明的肖特基二极管结构的实施例的放大剖视图；

图8图示了根据本发明包括单片地形成在一个半导体衬底上的硅MOSFET和耗尽型HEMT的多晶体管器件的实施例的放大剖视图；以及

图9图示了根据本发明的另一个实施例的多晶体管器件的另一个实施例的放大剖视图。