[发明专利]形成高电子迁移率半导体器件的方法

权利要求书

1.一种形成高电子迁移率HEM器件的方法，包括：

提供包含硅的第一半导体材料的基础基板；

覆在所述基础基板上形成GaN或者SiC或者其他III-N或者III-V或者II-VI系材料之一的层；

在所述层与下层材料的界面附近形成脆性区域；

从所述基础基板分离所述层的一部分；

将所述层的所述一部分附接至中间基板；以及

在所述层的所述一部分中形成所述HEM器件。

2.如权利要求1所述的方法，其中，分离所述层的所述一部分包含将所述层沿着大体上平行于所述基础基板的所述表面的所述层的长轴，分为两部分。

3.如权利要求1所述的方法，还包含在分离所述层的所述一部分之前，将所述中间基板附接至所述层的所述一部分。

4.一种形成半导体器件的方法，包括：

提供包含硅的第一半导体材料的基础基板；以及

在所述基础基板上形成GaN或者SiC或者其他III-N或者III-V或者II-VI系材料之一的层。

5.如权利要求4所述的方法，其中，提供所述基础基板包含提供多孔硅基础基板。

6.如权利要求5所述的方法，还包含在所述层中形成脆性区域。

7.如权利要求6所述的方法，还包含将中间基板键合至所述层。

8.如权利要求7所述的方法，还包含从所述基础基板分离所述中间基板和所述层的至少一部分。

9.如权利要求6所述的方法，还包含从所述基础基板分离所述层的至少一部分。

10.如权利要求9所述的方法，还包含将所述层的所述一部分键合至中间基板。

11.如权利要求10所述的方法，还包含清洗所述基础基板，并在所述基础基板上形成另一个层，其中，所述另一个层是GaN或者SiC或者其他III-N或者III-V或者II-VI系材料之一。

12.如权利要求4所述的方法，还包含形成包含所述层的所述HEM器件。

13.如权利要求4所述的方法，其中，提供基础基板包括提供在所述基础基板的表面上具有孔的多孔硅基础基板；

在所述孔上以及所述孔内形成绝缘体；以及

将所述表面平面化，以在所述基础基板的所述表面上形成硅成核位点。

14.如权利要求4所述的方法，其中，形成所述层包含形成包含多个III系层的层。

15.如权利要求4所述的方法，其中，形成所述层包含形成AlN层，并在所述AlN层上形成GaN层。

16.如权利要求4所述的方法，其中，提供所述基础基板包含：提供在(111)面具有表面的硅基础基板；以及

在所述硅基础基板的所述表面上形成GaN的层，其中，GaN在所述硅基础基板的(111)面上形成有(0001)面。

17.一种高电子迁移率HEM器件，包括：

硅基础基板，在(111)面具有表面；以及

GaN或者其他II-V或者II-VI材料的层，在所述硅基础基板的所述表面上，其中，所述层在所述硅基础基板的所述(111)面上形成有(0001)面。

18.如权利要求17所述的HEM器件，还包含在所述层的至少一部分上的沟道材料。

19.如权利要求18所述的HEM器件，其中，所述沟道材料包含AlGaN。

20.如权利要求18所述的HEM器件，还包含覆在所述沟道材料上的栅极材料。