[发明专利]射频混频器的DC偏移估计有效
申请号: | 201410094170.0 | 申请日: | 2014-03-14 |
公开(公告)号: | CN104052699B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | H·普里莫;M·J·曼格拉尼;Y·斯坦 | 申请(专利权)人: | 亚德诺半导体集团 |
主分类号: | H04L25/06 | 分类号: | H04L25/06 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 金晓 |
地址: | 百慕大群岛(*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 射频 混频器 dc 偏移 估计 | ||
1.用于产生对于直流(DC)偏移的估计的电子实现方法,所述方法包括:
接收第一信号的样本;
取回第二信号的值,其中所述第二信号包括第三信号中的分量,其中所述第三信号经升频、降频和滤波以产生所述第一信号;以及
至少部分地基于所述第一信号的至少两个所选样本和所述第二信号的对应值来产生由升频器所招致的第一DC偏移的估计。
2.如权利要求1所述的方法,所述方法还包括:
取回第四信号的值,其中所述第四信号包括第五信号中的分量,其中所述第三信号和第五信号经升频、降频和滤波以产生所述第一信号;以及
至少部分地基于所述第一信号的至少两个所选样本和所述第四信号的对应值来产生由所述升频器所招致的第二DC偏移的估计。
3.如权利要求2所述的方法,其中所述接收、所述取回和所述产生是通过射频(RF)发射器装置来执行的,其中所述第一信号包括具有同相(I)信道和正交(Q)信道的经降频和滤波的RF发射信号,其中所述第二信号包括I信道补偿信号,其中所述第三信号信道包括I信道基带信号和所述I信道补偿信号,其中所述第四信号包括Q信道补偿信号,并且其中所述第五信号包括Q信道基带信号和所述Q信道补偿信号。
4.如权利要求1所述的方法,还包括:基于所述第一DC偏移的所产生的估计来更新所述第二信号,使得将所述第二信号添加到所述升频器的输入减弱由所述升频器招致的所述第一DC偏移。
5.如权利要求1所述的方法,还包括产生所述第一信号,其中所述产生所述第一信号包括在所述第三信号已经升频之后使用经校准的降频器来将所述第三信号降频,其中所述降频器接收由所述升频器接收到的载波信号。
6.如权利要求1所述的方法,其中产生第一DC偏移的估计至少部分地基于两种以上操作模式中的选定模式,其中所述两种以上操作模式包括校准模式和跟踪模式。
7.如权利要求6所述的方法,其中接收样本包括:
通过在所述第二信号呈现第一值第一持续时间之后产生所述第一信号的样本来接收所述第一信号的第一样本;以及
通过在所述第二信号呈现第二值第二持续时间之后产生所述第一信号的样本来接收所述第一信号的第二样本,其中所述第一值不同于所述第二值,
其中当所述选定模式是所述校准模式时产生估计至少部分地基于所述第一样本和第二样本的量值平方之间的第一比较并且至少部分地基于所述第二信号的第一值和第二值之间的第二比较。
8.一种装置,包括:
接口,其配置为接收第一信号的样本和第二信号的值,其中所述第一信号包括已经升频、降频和滤波的第三信号的变化形式,其中所述第二信号包括所述第三信号中的分量;以及
偏移估计器,其构造为至少部分地基于所述第一信号的至少两个所选样本和所述第二信号的对应值来产生由升频器招致的第一DC偏移的估计。
9.如权利要求8所述的装置,还包括偏移补偿器,所述偏移补偿器构造为基于所产生的所述第一DC偏移的估计来更新所述第二信号,使得将所述第二信号添加到所述升频器的输入减弱了由所述升频器招致的所述第一DC偏移。
10.如权利要求8所述的装置,其中所述偏移估计器构造为通过在所述第二信号呈现第一值第一持续期间之后产生所述第一样本来接收所述第一信号的第一样本,并且构造为通过在所述第二信号呈现第二值第二持续期间之后产生所述第一样本来接收所述第一信号的第二样本,其中所述第一值不同于所述第二值,其中所述偏移估计器构造为至少部分地基于所述第一和第二样本的量值平方之间的第一比较以及至少部分地基于所述第二信号的所述第一值和第二值之间的第二比较来产生所述估计。
11.如权利要求8所述的装置,其中所述偏移估计器构造为选择性地操作跟踪模式,其中所述偏移估计器构造为通过产生多个调节量来迭代地产生所述第一DC偏移的估计,其中所述调节量至少部分地基于所述第一信号的至少两个所选样本和所述第二信号的对应值。
12.一种装置,包括:
处理器;以及
有形非暂态计算机可读介质,承载程序指令,所述程序指令在由所述处理器运行时使得所述处理器执行根据权利要求1-7中的任一项所述的用于产生对于直流(DC)偏移的估计的方法。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于亚德诺半导体集团,未经亚德诺半导体集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410094170.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。