[发明专利]多电平逆变器

权利要求书

1.一种用于控制逆变器的方法，包括：

通过在不同的时间并以第二频率切换多电平逆变器中的第一组中串接的多个晶体管中的每一个，产生具有第一频率的周期性波形，其中所述第二频率大于所述第一频率。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述多个晶体管中的每一个包括低电压MOSFET晶体管。

3.如权利要求2所述的方法，其中对所述第一组的所述多个晶体管中的每一个的切换包括在所述第二频率的每一个周期内的不同的时间接通所有的所述多个晶体管。

4.如权利要求2所述的方法，其中所述第二频率高于16kHz，并且其中跨过所述多个晶体管中的每一个的端子保持不高于120V。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述多电平逆变器包括四组低电压MOSFET晶体管，所述第一组与第二组串联连接，第三组与第四组串联连接，并且所述第一组和所述第二组的串联连接与所述第三组和所述第四组的串联连接并联，并且

其中所述方法还包括：

提供第一控制信号来切换所述第一组的晶体管和所述第四组的晶体管；以及

提供反相的第一控制信号，所述反相的第一控制信号包含所述第一控制信号的反相形式，以切换所述第二组的晶体管和所述第三组的晶体管。

6.一种逆变装置，包括：

多电平逆变器，所述多电平逆变器包括：

至少两个组，其中第一组和第二组在输入电压和参考电压之间串联连接，并且所述第一组和所述第二组中的每个组都包含串联连接的多个晶体管；以及

一个或多个电容器，所述一个或多个电容器中的每一个连接在所述第一组的两个相邻的晶体管和所述第二组的两个相邻的晶体管之间；以及

控制器，其配置成通过以下方式使所述多电平逆变器产生具有第一频率的周期性波形：

控制所述第一组的所述多个晶体管中的每个晶体管，以在不同的时间并以第二频率进行切换，并且

控制所述第二组的所述多个晶体管中的每个晶体管，以在不同的时间并以所述第二频率进行切换，其中所述第二频率大于所述第一频率。

7.如权利要求6所述的逆变装置，其中所述第一组与所述第二组串联连接以形成第二频级，

其中第三组和与所述第三组并联的第四组形成低频级，其中所述第三组和所述第四组以并联方式通过电感器耦合到所述第二组，并且

其中所述控制器被配置成：

利用多个第一控制信号切换所述第一组的所述多个晶体管；

利用多个反相的第一控制信号切换所述第二组的多个晶体管；以及

切换所述第三组的多个晶体管和所述第四组的多个晶体管。

8.如权利要求7所述的逆变装置，其中所述控制器被配置成以大约200kHz的周期频率切换所述第一组的所述多个晶体管中的每个晶体管和所述第二组的所述多个晶体管中的每个晶体管，并且以大约50Hz的周期频率切换所述第三组的所述多个晶体管中的每个晶体管和所述第四组的所述多个晶体管中的每个晶体管。

9.如权利要求6所述的逆变装置，其中所述多个晶体管中的每一个是低电压MOSFET晶体管。

10.如权利要求9所述的逆变装置，其中所述控制器被配置成提供N个控制信号以在不同的时间将所述低电压MOSFET晶体管切换为导通。

11.如权利要求9所述的逆变装置，其中所述第二频率高于16kHz，并且其中所述控制器被配置成跨过所述多个晶体管中的每一个的端子保持不高于120V。

12.如权利要求6所述的逆变装置，其中所述多电平逆变器包含彼此串联连接的第三组和第四组，其中所述第三组和所述第四组与所述第一组和所述第二组并联。