[发明专利]具有双向垂直激励的集成结构

权利要求书

1.一种MEMS器件，包括：

具有第一表面和第二表面的第一衬底，所述第一衬底包括：

    基底层，

    被附着到所述基底层并且具有顶表面和底表面的可移动梁，所述底表面面向所述基底层，所述可移动梁包括：

        被布置在所述可移动梁的底表面上的一个或多个第一电极，

        被布置在所述可移动梁的顶表面上的一个或多个第二电极，

被布置在所述第一衬底的第一表面上的一个或多个支座，使得一个或多个导电层位于所述一个或多个支座的顶表面上；和

包括被接合到所述一个或多个支座的一个或多个金属层的第二衬底，导致形成在所述一个或多个金属层的至少一部分与所述一个或多个第一电极或所述一个或多个第二电极中的一个之间的电连接。

2.根据权利要求1所述的MEMS器件，其中绝缘层被布置在所述一个或多个第一电极和所述一个或多个第二电极之间。

3.根据权利要求1所述的MEMS器件，还包括被布置在所述可移动梁和所述基底层之间的一个或多个第三电极，使得当电势被施加在所述一个或多个第三电极中的至少一个和所述一个或多个第一电极中的至少一个之间时，所述可移动梁被移位。

4.根据权利要求3所述的MEMS器件，其中所述一个或多个第一电极中的至少一个承载射频信号。

5.根据权利要求3所述的MEMS器件，其中所述一个或多个第三电极中的至少一个承载射频信号。

6.根据权利要求3所述的MEMS器件，还包括被布置在所述一个或多个第一电极和所述一个或多个第三电极之间的一个或多个间隔物。

7.根据权利要求3所述的MEMS器件，还包括被布置在所述第二衬底上的一个或多个第四电极，当电势被施加在所述一个或多个第二电极中的至少一个和所述一个或多个第四电极之间时，所述一个或多个第四电极将静电力作用在所述可移动梁上。

8.根据权利要求7所述的MEMS器件，还包括被布置在所述一个或多个第二电极和一个或多个第四电极之间的一个或多个间隔物。

9.根据权利要求1所述的MEMS器件，还包括在所述第二衬底上的至少一个CMOS电路。

10.根据权利要求1所述的MEMS器件，还包括再分布层，所述再分布层被布置在所述第一衬底的第二表面上。

11.根据权利要求10所述的MEMS器件，还包括被布置在所述第一衬底和所述再分布层之间的绝缘层。

12.根据权利要求10所述的MEMS器件，还包括从所述再分布层到所述一个或多个第三电极中的至少一个的导电路径。

13.根据权利要求12所述的MEMS器件，还包括被布置在所述再分布层上的焊球。

14.根据权利要求12所述的MEMS器件，还包括在所述第一衬底中的一个或多个通孔，其中所述一个或多个通孔包含导电材料。

15.一种MEMS器件，包括：

具有第一表面和第二表面的第一衬底，所述第一衬底包括：

    基底层，

    被附着到所述基底层并且具有顶表面和底表面的可移动梁，所述底表面面向所述基底层，所述可移动梁包括：

        被布置在所述可移动梁的底表面上的一个或多个第一电极，

        被布置在所述可移动梁的顶表面上的一个或多个第二电极，

        被布置在所述一个或多个第一电极和所述一个或多个第二电极之间的第一绝缘层；和

第二衬底，其包括

    由一个或多个第二绝缘层所分离的一个或多个金属层；

    具有顶表面并且由所述一个或多个金属层的一部分和一个或多个第二绝缘层所形成的一个或多个支座，所述一个或多个金属层的一部分位于所述一个或多个支座的顶表面上并且被接合到第一衬底，使得在一个或多个金属层的所述部分与所述一个或多个第一电极中的至少一个或所述一个或多个第二电极中的至少一个之间形成电连接。