[发明专利]HEMT半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201410093863.8 | 申请日： | 2014-03-14 |
| 公开（公告）号： | CN104051516A | 公开（公告）日： | 2014-09-17 |
| 发明（设计）人： | A·巴纳尔吉;P·莫恩斯 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | hemt 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
1.一种高电子迁移率晶体管HEMT半导体器件，包括：
具有主表面的基板；
覆盖于所述基板的所述主表面之上的GaN膜；以及
覆盖于所述GaN膜之上的电介质层，其中所述电介质层包括覆盖于所述GaN膜之上的第一氮化硅膜，以及在所述第一氮化硅膜上的AlN膜。
2.根据权利要求1所述的高电子迁移率晶体管HEMT半导体器件，其中所述HEMT半导体包括：包含所述GaN膜的异质结。
3.根据权利要求2所述的HEMT半导体器件，所述异质结还包括覆盖于所述GaN膜之上的第一AlGaN膜，其中所述电介质层覆盖于所述第一AlGaN膜之上。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的HEMT半导体器件，还包括与所述第一氮化硅膜直接接触的栅极电极。
5.根据权利要求1至3中的任一项所述的HEMT半导体器件，还包括与所述AlN膜直接接触的栅极电极。
6.根据权利要求5所述的HEMT半导体器件，其中所述AlN膜具有2-20nm的厚度。
7.一种形成高电子迁移率晶体管HEMT半导体器件的方法，包括：
提供具有主表面的基板；
形成覆盖于所述基板的所述主表面之上的GaN膜；以及
形成覆盖于所述GaN膜之上的栅极电介质层，包括形成第一氮化硅膜以及在所述第一氮化硅膜上形成AlN膜。
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：形成覆盖于所述GaN膜之上的AlGaN膜。
9.根据权利要求7或8所述的方法，还包括：
在所述AlN膜上形成第二氮化硅膜；
蚀刻延伸穿过所述第二氮化硅膜的开口；以及
形成在延伸穿过所述第二氮化硅膜的所述开口之内的且与所述AlN膜直接接触的栅极电极。
10.根据权利要求7或8所述的方法，还包括：
在所述AlN膜上形成第二氮化硅膜；
蚀刻延伸穿过所述第二氮化硅膜和所述AlN膜的开口；以及
形成在延伸穿过所述第二氮化硅膜和AlN膜的所述开口之内的且与所述第一氮化硅膜直接接触的栅极电极。
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