[发明专利]一种应变沟道晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种应变沟道晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：提供一SOI结构，该SOI结构自下而上依次包括衬底、埋氧层和硅化物层；沉积一掩膜层将所述SOI结构上表面予以覆盖并刻蚀去除部分掩膜层；

步骤S2：以剩余的掩膜层为掩膜刻蚀部分所述硅化物层和埋氧层至所述衬底的上表面停止形成沟槽；

步骤S3：在所述沟槽内制备应变沟道层，所述应变沟道层包括位于衬底之上的第一半导体材料层和位于所述第一半导体材料层之上的第二半导体材料层，所述第一半导体材料层的晶格常数大于所述第二半导体材料层的晶格常数；

步骤S4：制备一侧墙将沟槽暴露的侧壁表面予以覆盖后，继续在应变沟道层暴露的上表面制备一栅介质层；

步骤S5：填充栅极材料层充满所述沟槽并抛光至所述剩余掩膜层上表面；

步骤S6：去除剩余掩膜层并在剩余硅化物层上方生长一层外延层，进行源漏制备工艺。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为锗衬底，所述掩膜层的材质为氮化硅。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，根据工艺需求来选择是否对所述硅化物层进行源漏掺杂。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一半导体层为锗材料层，所述第二半导体层为硅材料层，采用以下工艺在所述沟槽内制备形成应变沟道层：

采用第一外延生长工艺在沟槽底部生长一层锗材料层后，继续采用第二外延生长工艺在所述锗材料层的上表面生长一层硅材料层。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极材料层为多晶硅层或金属层。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述栅介质层的材质根据所述栅极的材料而设定；

当所述栅极材料层为多晶硅层时，所述栅介质层的材质为二氧化硅；当所述栅极材料层为金属层时，所述栅介质层的材质为金属。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，采用原位掺杂工艺或离子注入工艺进行源漏制备工艺，且原位掺杂工艺或离子注入工艺的离子均为硼离子。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外延层的顶面高度低于所述栅极材料层的顶面高度。

9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述硅化物层和外延层的材质均为碳化硅。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧墙的材质为二氧化硅。