[发明专利]引线接合装置和方法无效
| 申请号: | 201410090701.9 | 申请日: | 2014-03-12 |
| 公开(公告)号: | CN104051289A | 公开(公告)日: | 2014-09-17 |
| 发明(设计)人: | 叶嘉琳;区彦敬;尤宝琳;梁杏茵;莫德·鲁斯利·易卜拉欣;纳瓦斯·可汗·奥拉蒂·卡兰达尔;莫德·费扎尔·祖尔-基弗里 | 申请(专利权)人: | 飞思卡尔半导体公司 |
| 主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 陈依虹;刘光明 |
| 地址: | 美国得*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 引线 接合 装置 方法 | ||
1.一种制作电连接的方法,包括:
通过包括引线抛光器和引线接合工具的引线接合系统传送接合线;
使用所述引线抛光器从所述接合线的至少第一部分移除污染物;
通过将所述接合线的所述第一部分引线接合到第一触点来形成第一接合,使得所述接合线和所述第一触点被电连接;以及
通过将所述接合线的第二部分引线接合到第二触点来形成第二接合,使得所述第一触点和所述第二触点被电连接。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述污染物移除步骤包括:将所述抛光器件的研磨面与所述接合线的至少所述第一部分的外表面接触。
3.根据权利要求1所述的方法,进一步包括:从所述接合线的所述第二部分移除污染物。
4.根据权利要求3所述的方法,其中所述污染物是通过将所述抛光器件的研磨面与所述接合线的所述第二部分的外表面接触而从所述接合线的所述第二部分移除的。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述污染物是通过将所述抛光器件的研磨面与所述接合线的外表面接触而基本上从所述接合线的整个表面移除的。
6.根据权利要求1所述的方法,其中所述接合线是无涂层的金属线。
7.根据权利要求6所述的方法,其中所述接合线是裸铜线。
8.根据权利要求7所述的方法,其中所移除的污染包括铜氧化物。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述第一接合是球形接合,并且所述第二接合是针脚式接合。
10.一种引线接合系统,包括:
接合送丝器,一卷接合线能够耦合到所述接合送丝器;
引线接合工具;以及
引线抛光器,所述引线抛光器被放置在所述接合送丝器和所述引线接合工具之间,所述引线抛光器被配置成从所述接合线移除污染物。
11.根据权利要求10所述的引线接合系统,其中所述引线抛光器是具有至少一个研磨面的微型抛光器。
12.根据权利要求11所述的引线接合系统,进一步包括靠近所述引线抛光器的真空器件,所述真空器件疏散了从所述引线接合系统移除的污染物的颗粒。
13.根据权利要求12所述的引线接合系统,其中所述引线接合工具包括毛细管和电子火焰熄灭器件。
14.根据权利要求10的所述的引线接合系统,进一步包括:空气引导件和引线拉紧器中的至少一个。
15.一种将第一器件电连接到第二器件的方法,包括:
通过引线接合系统传送绝缘引线,所述绝缘引线具有金属芯和覆盖所述金属芯的绝缘材料;
标识所述绝缘引线的第一部分以用于形成第一接合,并且标识所述绝缘引线的第二部分以用于形成第二接合;
使用剥线器从所述绝缘引线的所述第一部分和第二部分移除绝缘材料,以暴露所述金属芯的至少所述第一部分和第二部分;
通过将所述绝缘引线的所述第一部分的所暴露的金属芯引线接合到所述第一器件的第一焊盘来形成第一接合,使得所述绝缘引线和所述第一器件被电连接;以及
通过将所述绝缘引线的所述第二部分的所暴露的金属芯引线接合到所述第二器件的第二焊盘来形成第二接合,使得所述第一器件和所述第二器件被电连接。
16.根据权利要求15所述的方法,其中所述剥线器是微型剪刀和洗涤器中的一个。
17.根据权利要求15所述的方法,进一步包括:使用所述剥线器从所述绝缘引线的所述第一部分移除绝缘材料。
18.一种用于接合绝缘引线的引线接合系统,所述绝缘引线具有金属芯和覆盖所述金属芯的绝缘材料,所述系统包括:
剥线器,一卷绝缘引线能够耦合到所述剥线器,其中所述剥线器被配置成接收所述绝缘引线并且从所述绝缘引线选择性地移除所述绝缘材料的部分;以及
引线接合工具,所述引线接合工具接收已经从所述剥线器移除所述绝缘材料的所选择的部分的所述绝缘引线。
19.根据权利要求18的引线接合系统,其中所述剥线器是微型剪刀和洗涤器中的一个。
20.根据权利要求18所述的引线接合系统,其中所述引线接合工具包括毛细管和电子火焰熄灭器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





