[发明专利]等离子体室部件上的抗腐蚀铝涂层

权利要求书

1.一种等离子体处理室的铝涂层部件，所述部件包括：

具有表面的基底；和

在所述基底的所述表面的至少一部分上的冷喷涂的铝涂层；

其中所述冷喷涂的铝涂层包含通过颗粒的塑形变形键合到所述表面的铝粉材料颗粒；以及

其中

所述冷喷涂的铝涂层包括100ppm或更少的Mn、Si、Ni、Cr、Cu、V、Fe、Mg、Zn、Ti、B、Pb、Zr、Bi、Sn和Ca中的每一者；

所述冷喷涂的铝涂层具有10微英寸至20微英寸的表面粗糙度Ra；以及

所述冷喷涂的铝涂层具有至少15密耳的厚度并建立杂质或气体弥散屏障。

2.如权利要求1所述的部件，其还包括在所述冷喷涂的铝涂层的至少一部分上的阳极化涂层。

3.如权利要求1所述的部件，其中所述冷喷涂的铝涂层具有215密耳至250密耳的厚度。

4.如权利要求1所述的部件，其中所述冷喷涂的铝涂层包括至少99.7wt.％的Al且所述基底包括AL6061-T6。

5.如权利要求1所述的部件，其中所述部件选自由室衬、静电卡盘、聚焦环、室壁、边缘环、等离子体约束环、基底支撑件、挡板、气体分配板、气体分配环、气体喷嘴、加热元件、等离子体屏、输送机构、气体供应系统、升降机构、加载锁、门机构、机械臂和紧固件组成的组。

6.如权利要求2所述的部件，其中所述阳极化涂层具有至少1.2kV的击穿电压和/或所述部件在HCl气泡测试中在至少5小时内不产生氢气气泡。

7.如权利要求2所述的部件，其中所述冷喷涂的铝涂层的厚度是所述阳极化涂层的厚度的至少两倍。

8.一种等离子体处理室的铝涂层部件，所述部件包括：

具有表面的基底；和

在所述基底的所述表面的至少一部分上的冷喷涂的铝涂层，所述冷喷涂的铝涂层具有10微英寸至20微英寸的表面粗糙度Ra，其中所述冷喷涂的铝涂层包含通过颗粒的塑形变形键合到所述表面的铝粉材料颗粒；和

在所述冷喷涂的铝涂层的至少一部分上的阳极化涂层；

其中

所述冷喷涂的铝涂层包括100ppm或更少的Mn、Si、Ni、Cr、Cu、V、Fe、Mg、Zn、Ti、B、Pb、Zr、Bi、Sn和Ca中的每一者；以及

所述冷喷涂的铝涂层具有至少15密耳的厚度并建立杂质或气体弥散屏障。

9.如权利要求8所述的部件，其中所述冷喷涂的铝涂层包括至少99.7wt.％的Al且所述基底包括AL6061-T6。

10.如权利要求8所述的部件，其中所述阳极化涂层具有至少0.6kV的击穿电压和/或所述部件在HCl气泡测试中在至少5小时内不产生氢气气泡。

11.一种在包括根据权利要求1所述的部件的等离子体处理室中等离子体处理半导体基底的方法，所述方法包括：

从工艺气体源供应至少一种工艺气体到所述等离子体处理室中；

利用射频(RF)能量源将RF能量施加到所述工艺气体以在所述等离子体处理室中产生等离子体；以及

在所述等离子体处理室中等离子体处理基底上的半导体材料、绝缘体或金属材料。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述等离子体处理包括蚀刻工艺、清洗工艺、沉积工艺、抗蚀剂剥离工艺或脱气工艺。

13.如权利要求11所述的方法，其中所述供应至少一种工艺气体包括供应Cl₂、HCl、BCl₃、Br₂、HBr、O₂、H₂O、SO₂、CF₄、CH₂F₂、NF₃、CH₃F、C₂F₆、CHF₃和SF₆中的至少一者。