[发明专利]一种极细同轴电缆中绝缘体无效
| 申请号: | 201410090190.0 | 申请日: | 2014-03-13 |
| 公开(公告)号: | CN103871542A | 公开(公告)日: | 2014-06-18 |
| 发明(设计)人: | 邹黎清 | 申请(专利权)人: | 苏州科茂电子材料科技有限公司 |
| 主分类号: | H01B3/44 | 分类号: | H01B3/44 |
| 代理公司: | 北京瑞思知识产权代理事务所(普通合伙) 11341 | 代理人: | 王加岭 |
| 地址: | 215000 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 同轴电缆 绝缘体 | ||
技术领域
本发明涉及一种极细同轴电缆中绝缘体,尤其涉及一种综合力学性能优良、绝缘性能突出的极细同轴电缆中绝缘体,属于极细同轴电缆技术领域。
背景技术
近年来,随着手机、笔记本电脑为代表的消费类电子产品以及通信、医疗、军事类电子产品微型化发展趋势的不断加快,性能要求不断提高,这些产品内传输各种频率信号的带状电缆、柔性电路板等传统布线元件迅速被传输速率更高、频带更宽且抗电磁干扰强的极细同轴电缆所取代。特别是上世纪九十年代中期移动通信的普及,更是促进了极细同轴电缆的研发和规模生产。
在现行技术中,极细同轴电缆中的绝缘体大多采用氟塑料,如可熔性全氟烷氧基共聚物(PFA)、聚全氟乙丙烯(FEP)等。上述绝缘体由于采用单一材质,因此在一些力学性能方面存在缺陷,譬如:抗压性能、耐磨性能以及抗拉强度等,一定程度上限制了极细同轴电缆的应用范围,使其不能适用于一些对环境敏感的精密的电子产品。
发明内容
针对上述需求,本发明提供了一种极细同轴电缆中绝缘体,该绝缘体材质选配得当,在使用过程中表现出良好的综合力学性能,提升了极细同轴电缆的应用范围。
本发明是一种极细同轴电缆中绝缘体,该绝缘体的主要成分及其百分含量配比为:聚四氟乙烯60%-70%、玻璃纤维15%-25%、石墨粉6%-10%,其余为相关助剂。
在本发明一较佳实施例中,所述的绝缘体的主要成分及其百分含量配比为:聚四氟乙烯60%-65%、玻璃纤维18%-22%、石墨粉6%-8%,其余为相关助剂。
在本发明一较佳实施例中,所述的聚四氟乙烯为微粉状颗粒,其平均粒径约为0.3-0.35um。
在本发明一较佳实施例中,所述的玻璃纤维为短切无碱玻璃纤维,其单丝直径约为10-12um,长度约为4-4.5mm。
在本发明一较佳实施例中,所述的石墨粉的平均粒径约为15-18um。
在本发明一较佳实施例中,所述的助剂包括增塑剂、相容剂、交联剂、粘度调节剂等。
本发明揭示了一种极细同轴电缆中绝缘体,该绝缘体选材得当,制备工艺简便,成本适中,在使用过程中表现出良好的综合力学性能,使极细同轴电缆的使用寿命更为持久,性能更为稳定,应用范围更为宽广。
具体实施方式
下面对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
本发明中提及的极细同轴电缆中绝缘体,其绝缘体的主要成分及其百分含量配比为:聚四氟乙烯60%-70%、玻璃纤维15%-25%、石墨粉6%-10%,其余为相关助剂。
进一步说明,该绝缘体的主要成分及其百分含量配比为:聚四氟乙烯60%-65%、玻璃纤维18%-22%、石墨粉6%-8%,其余为相关助剂;聚四氟乙烯为微粉状颗粒,其平均粒径约为0.3-0.35um;玻璃纤维为短切无碱玻璃纤维,其单丝直径约为10-12um,长度约为4-4.5mm;石墨粉的平均粒径约为15-18um;助剂包括增塑剂、相容剂、交联剂、粘度调节剂等。
本发明提及的极细同轴电缆中绝缘体的具体制备过程如下:
a)原料选备,绝缘体的主要成分及其百分含量配比为:聚四氟乙烯65%、玻璃纤维18%、石墨粉8%,其余为相关助剂;聚四氟乙烯为微粉状颗粒,其平均粒径约为0.3um;玻璃纤维为短切无碱玻璃纤维,其单丝直径约为10um,长度约为4mm;石墨粉的平均粒径约为16um;助剂中的增塑剂选用DOP、相容剂选用环状酸酐型相容剂、交联剂选用2-乙基-4甲基咪唑、粘度调节剂选用石蜡,四种助剂的含量配比约为4:2:1:3;
b)配制糊状绝缘体,糊状绝缘体制备过程如下:首先,将原料加入反应釜,均匀搅拌30-35分钟,反应釜温度控制在65℃-70℃;然后,向反应釜中添加助剂中的增塑剂和相容剂,反应釜温度升至100℃-110℃,均匀搅拌1.2小时;最后,将反应釜温度降至80℃-85℃,继续添加助剂中的交联剂和粘度调节剂,搅拌50-55分钟后制得糊状绝缘体;
c)挤出包覆,挤出包覆过程如下:首先,将糊状绝缘体导入挤出机,挤出机温度控制在70℃-75℃;然后,将糊状绝缘体均匀挤出,包覆在导体外表面形成包覆层,挤出机的挤出速度控制在0.3m/min,包覆层厚度控制在0.09-0.1mm;最后,将包覆成型的绝缘体置于室温中冷却;
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