[发明专利]低泄漏整流器结构

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

第一Ⅲ-Ⅴ族化合物层；

第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层，位于所述第一Ⅲ-Ⅴ族化合物层上方；

栅极电介质，位于所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层上方；

栅电极，位于所述栅极电介质上方；以及

阳电极和阴电极，位于所述栅电极的相对两侧上，其中，所述阳电极电连接至所述栅电极，并且所述阳电极、所述阴电极和所述栅电极形成整流器的部分，

其中，介电钝化层，位于所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层以及所述阳电极和所述阴电极上方并且位于所述栅极电介质下方，其中，所述栅电极延伸至所述介电钝化层内。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层具有从所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层的顶面延伸至所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层内的凹槽，并且所述栅极电介质延伸至所述凹槽内。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层的未凹进部分具有第一厚度，且所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层的凹进部分具有第二厚度，并且所述第二厚度与所述第一厚度的比率小于1/3。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：位于所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层中的氟掺杂区，其中，通过所述栅电极覆盖所述氟掺杂区。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第一Ⅲ-Ⅴ族化合物层具有第一能带隙，并且所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层具有高于所述第一能带隙的第二能带隙。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第一Ⅲ-Ⅴ族化合物层包括氮化镓(GaN)，并且所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层包括氮化铝镓(AlGaN)。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，二维电子气(2DEG)沟道形成在所述第一Ⅲ-Ⅴ族化合物层中并且靠近所述第一Ⅲ-Ⅴ族化合物层与所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层之间的界面，其中，所述整流器配置为当未将偏置电压施加在所述栅电极上时具有一部分消耗的二维电子气沟道，并且通过所述栅电极覆盖所述二维电子气沟道的消耗部分。

8.一种集成电路器件，包括：

第一Ⅲ-Ⅴ族化合物层，具有第一能带隙；

第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层，覆盖并接触所述第一Ⅲ-Ⅴ族化合物层，其中，所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层具有高于所述第一能带隙的第二能带隙，并且所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层包括：

第一部分，包括第一顶面；及

第二部分，位于所述第一部分的相对侧上，其中，对所述第一顶面进行凹进使其低于所述第二部分的顶面以在所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层中形成凹槽；

栅电极，位于所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层上方；以及

阳电极和阴电极，位于所述栅电极的相对两侧上，其中，所述阳电极电连接至所述栅电极，并且所述阳电极、所述阴电极和所述栅电极形成整流器的部分，

其中，栅极电介质，位于所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层和所述栅电极之间；

介电钝化层，位于所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层以及所述阳电极和所述阴电极上方并且位于所述栅极电介质下方，其中，所述栅电极延伸至所述介电钝化层内。

9.根据权利要求8所述的集成电路器件，其中，所述栅极电介质延伸至所述凹槽内。

10.根据权利要求8所述的集成电路器件，还包括：位于所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层中的氟掺杂区，其中，通过所述凹槽覆盖所述氟掺杂区。

11.根据权利要求8所述的集成电路器件，其中，所述第一Ⅲ-Ⅴ族化合物层包括氮化镓(GaN)，并且所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层包括氮化铝镓(AlGaN)。

12.根据权利要求8所述的集成电路器件，其中，二维电子气(2DEG)沟道形成在所述第一Ⅲ-Ⅴ族化合物层中并且靠近所述第一Ⅲ-Ⅴ族化合物层与所述第二Ⅲ-Ⅴ族化合物层之间的界面，并且所述整流器配置为当未将偏置电压施加至所述栅电极时具有一部分消耗的二维电子气沟道，并且通过所述栅电极覆盖所述二维电子气沟道的消耗部分。

13.根据权利要求8所述的集成电路器件，其中，所述第一顶面比所述第二部分的顶面低大于