[发明专利]可精细控制温度的晶圆加热系统

权利要求书

1.一种用于处理具有相对的第一晶圆表面和第二晶圆表面的晶圆的系统，包括：

化学品设置器，适合于将化学材料设置在所述第一晶圆表面上方以形成化学层；以及

第一加热器，设置在晶圆处理工作台上，当晶圆被放置在所述第一加热器上方从而使得所述第二晶圆表面面对所述第一加热器时，所述第一加热器适合于从所述第二晶圆表面加热所述晶圆使得所述晶圆加热至所述化学材料的沸点温度以上的温度，其中，所述第一加热器进一步适合于在所述晶圆上产生局部不同的目标温度分布；

第二加热器，设置在所述晶圆之上并被配置为用于在所述化学层形成之后加热所述化学层使得所述化学层加热至所述化学材料的沸点温度以下的温度。

2.根据权利要求1所述的用于处理具有相对的第一晶圆表面和第二晶圆表面的晶圆的系统，进一步包括：

温度传感器，用于监测所述晶圆上的实际温度分布。

3.根据权利要求2所述的用于处理具有相对的第一晶圆表面和第二晶圆表面的晶圆的系统，进一步包括：

计算系统，电连接至所述温度传感器和所述第一加热器以根据所述实际温度分布控制所述目标温度分布。

4.根据权利要求1所述的用于处理具有相对的第一晶圆表面和第二晶圆表面的晶圆的系统，其中，设置所述第一加热器的尺寸并且将所述第一加热器配置为能够均匀地和同时地加热整个所述第二晶圆表面。

5.根据权利要求1所述的用于处理具有相对的第一晶圆表面和第二晶圆表面的晶圆的系统，进一步包括：

旋转机构，以在加热所述晶圆时旋转所述晶圆。

6.根据权利要求1所述的用于处理具有相对的第一晶圆表面和第二晶圆表面的晶圆的系统，其中，所述第一加热器包括用于产生热量的辐射源。

7.根据权利要求1所述的用于处理具有相对的第一晶圆表面和第二晶圆表面的晶圆的系统，其中，所述第一加热器包括用于产生热量的电线圈。

8.根据权利要求1所述的用于处理具有相对的第一晶圆表面和第二晶圆表面的晶圆的系统，其中，所述第一加热器包括能够局部不同地加热的多个加热盘。

9.一种在制造半导体器件中处理晶圆的方法，所述方法包括：

提供适合于加热晶圆的第一加热器以在所述晶圆上产生局部不同的目标温度分布；

将具有相对的第一晶圆表面和第二晶圆表面的晶圆放置在所述第一加热器上方，从而使所述第二晶圆表面面对所述第一加热器；

在所述第一晶圆表面上方设置化学材料以在所述第一晶圆表面上形成化学层；以及

通过所述第一加热器从所述第二晶圆表面加热所述晶圆以在所述晶圆上产生目标温度分布，

其中，所述晶圆被加热至所述化学材料的沸点温度以上的温度，并且所述化学层被加热至所述化学材料的沸点温度以下的温度。

10.根据权利要求9所述的在制造半导体器件中处理晶圆的方法，进一步包括：

通过温度传感器监测所述晶圆上的实际温度分布并根据所述实际温度分布控制所述目标温度分布。

11.根据权利要求9所述的在制造半导体器件中处理晶圆的方法，其中，设置所述第一加热器的尺寸并且将所述第一加热器配置为能够均匀地和同时地加热整个所述第二晶圆表面。

12.根据权利要求9所述的在制造半导体器件中处理晶圆的方法，进一步包括：通过设置在所述化学层上方的第二加热器加热所述化学层。

13.根据权利要求9所述的在制造半导体器件中处理晶圆的方法，进一步包括：当加热所述晶圆时，旋转所述晶圆。

14.根据权利要求9所述的在制造半导体器件中处理晶圆的方法，其中，所述第一加热器从辐射源产生热量。

15.根据权利要求9所述的在制造半导体器件中处理晶圆的方法，其中，所述第一加热器从附接至所述第一加热器的电线圈产生热量。

16.根据权利要求9所述的在制造半导体器件中处理晶圆的方法，其中，所述第一加热器从能够不同地加热的多个加热盘产生热量。

17.一种在制造半导体器件中加热晶圆的方法，所述方法包括：

将具有相对的第一晶圆表面和第二晶圆表面的晶圆设置在第一加热器上方，从而使所述第二晶圆表面面对所述第一加热器；

在所述第一晶圆表面上形成化学材料层；

通过所述第一加热器加热所述晶圆，同时控制所述晶圆上的温度分布，以在所述晶圆上实现最优温度分布；以及

通过设置在所述化学材料层之上的第二加热器加热所述化学材料层；

其中，所述晶圆被加热至化学材料的沸点温度以上的温度，并且所述化学材料层被加热至所述化学材料的沸点温度以下的温度。