[发明专利]固态成像器件以及制造方法和电子设备

说明书

技术领域

本公开涉及固态成像器件以及制造方法和电子设备，特别是涉及能够防止传输下降同时抑制灵敏度降低的固态成像器件以及制造方法和电子设备。背景技术

近年来，在固态成像器件中，已经考虑通过加大像素尺寸而扩大光接收表面的面积，以便实现高灵敏度。然而，在像素尺寸增加时，传输长度变长，因此传输效率下降。

因此，公开了这样的方法，通过分割像素且相对于每个分割的像素设置传输晶体管使传输长度缩短，并且能防止传输效率下降以及降低电压（例如，见日本专利特开第2011-239070号公报）。

发明内容

然而，在上述的方法中，因为必须在分割的像素之间形成隔离分割像素的元件隔离部，所以光敏二极管的开口面积减小，并且灵敏度降低。

本公开考虑了这样的情形而展开，因此能防止传输下降同时抑制灵敏度降低。

根据本公开的第一实施例，所提供的固态成像器件和电子设备的每一个都包括：基板，其中该基板包括：根据像素单元的入射光的光量产生电荷的光电转换部；蓄积部，将该像素单元在该光电转换部中产生的电荷进行分割且将该电荷蓄积；第一元件隔离部，形成在该像素单元的该光电转换部的边界处；以及第二元件隔离部，形成在该像素的分割单元的该蓄积部的边界处。

在本公开的第一实施例中，光电转换部根据像素单元的入射光的光量产生电荷，蓄积部分割光电转换部中产生的像素单元的电荷且蓄积该电荷，第一元件隔离部形成在像素单元的光电转换部的边界处，并且第二元件隔离部形成在像素的分割单元的蓄积部的边界处。

根据本公开的第二实施例，所提供的固态成像器件的用于制造设备的制造方法包括：在基板上形成光电转换部，该光电转换部根据像素单元的入射光的光量产生电荷；在该基板上形成蓄积部，该蓄积部将该像素单元在该光电转换部中产生的电荷分割且将该电荷蓄积；在该基板上形成第一元件隔离部，该第一元件隔离部形成在该像素单元的该光电转换部的边界处；以及在该基板上形成第二元件隔离部，该第二元件隔离部形成在该像素的分割单元的该蓄积部的边界处。

在本公开的第二实施例中，根据像素单元的入射光的光量产生电荷的光电转换部形成在基板上，分割光电转换部中产生的像素单元的电荷且蓄积该电荷的蓄积部形成在基板上，形成在像素单元的光电转换部的边界处的第一元件隔离部形成在基板上，并且形成在像素的分割单元的蓄积部的边界处的第二元件隔离部形成在基板上。

根据本公开的第一实施例，能够防止传输的降低且抑制灵敏度的下降。

此外，根据本公开的第二实施例，能够制造固态成像器件，其可防止传输的降低且抑制灵敏度的下降。

附图说明

图1是在背侧照射型的CMOS图像传感器中从像素阵列的光入射侧看的平面图；

图2是沿着图1中的线II-II剖取的截面图；

图3是示出沿着图2中的线III-III剖取的每个分割像素的电势状态的概略的截面图；

图4是示出沿着图2中的线IV-IV剖取的每个分割像素的电势状态的概略的截面图；

图5是示出根据应用本公开的第一实施例的背侧照射型的CMOS图像传感器作为固态成像器件的构造示例的框图；

图6是在图5中从像素阵列单元的光入射侧看的平面图；

图7是沿着图6中的线VII-VII剖取的截面图；

图8是示出沿着图7中的线VIII-VIII剖取的每个分割像素的电势状态的概略的截面图；

图9是示出沿着图7中线IX-IX剖取的每个分割像素的电势状态的概略的截面图；

图10是示出像素阵列单元的光敏二极管周边利用制造设备的制造方法示例的示意图；以及

图11是示出作为应用本公开的电子设备的成像器件构造示例的框图。

具体实施方式

本公开前述

图1是在像素分成2×2块时作为固态成像器件的背侧照射型CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器中像素阵列的光入射侧看的平面图。此外，图2是沿着图1中的线II-II剖取的截面图。

在图1中，为了描述的方便，仅示出了设置成像素阵列的像素的2×2块。在图1的示例中，每个像素的设置为拜耳（Bayer）阵列。就是说，左上方的像素11是红色（R）像素，右上方的像素12和左下方的像素13是绿色（G）像素，并且右下方的像素14是蓝色（B）像素。