[发明专利]一种提升增益变化范围的低温度系数可变增益放大器

权利要求书

1.一种提升增益变化范围的低温度系数可变增益放大器，其特征在于，包括可变增益电路、交叉耦合温度补偿电路和增益控制电路；

其中，所述可变增益电路包括第一P型金属氧化物晶体管（P1）、第二P型金属氧化物晶体管（P2）、第一N型金属氧化物晶体管（N1）、第二N型金属氧化物晶体管（N2）、第三N型金属氧化物晶体管（N3）、第四N型金属氧化物晶体管（N4）、第五N型金属氧化物晶体管（N5）、第六N型金属氧化物晶体管（N6）、第七N型金属氧化物晶体管（N7）、第八N型金属氧化物晶体管（N8）、第九N型金属氧化物晶体管（N9）、第十N型金属氧化物晶体管（N10）、第十一N型金属氧化物晶体管（N11）、第十二N型金属氧化物晶体管（N12）、第十三N型金属氧化物晶体管（N13）、第十四N型金属氧化物晶体管（N14）、第十五N型金属氧化物晶体管（N15）、第十六N型金属氧化物晶体管（N16）和第一电流源（I1）；

所述第一P型金属氧化物晶体管（P1）的栅极和所述第二P型金属氧化物晶体管（P2）的栅极连接；

所述第一P型金属氧化物晶体管（P1）的源极和所述第二P型金属氧化物晶体管（P2）的源极连接；

所述第一P型金属氧化物晶体管（P1）的漏极、所述第一N型金属氧化物晶体管（N1）的栅极、所述第七N型金属氧化物晶体管（N7）的漏极和所述第九N型金属氧化物晶体管（N9）的漏极连接；

所述第二P型金属氧化物晶体管（P2）的漏极、所述第二N型金属氧化物晶体管（N2）的栅极、所述第八P型金属氧化物晶体管（N8）的漏极和所述第十N型金属氧化物晶体管（N10）的漏极连接；

所述第九N型金属氧化物晶体管（N9）的栅极、所述第十N型金属氧化物晶体管（N10）的栅极、所述第十五N型金属氧化物晶体管（N15）的栅极、所述第十六N型金属氧化物晶体管（N16）的栅极、所述第十三N型金属氧化物晶体管（N13）的栅极、所述第一电流源（I1）和所述第十六N型金属氧化物晶体管（N16）的漏极连接； 

所述第七N型金属氧化物晶体管（N7）的源极、所述第九N型金属氧化物晶体管（N9）的源极、第十一N型金属氧化物晶体管（N11）的漏极、第十三N型金属氧化物晶体管（N13）的漏极和第十二N型金属氧化物晶体管（N12）的栅极连接；

所述第八N型金属氧化物晶体管（N8）的源极、所述第十N型金属氧化物晶体管（N10）的源极、第十二N型金属氧化物晶体管（N12）的漏极、第十五N型金属氧化物晶体管（N15）的漏极和第十一N型金属氧化物晶体管（N11）的栅极连接；

所述第十三N型金属氧化物晶体管（N13）的源极、所述第十四N型金属氧化物晶体管（N14）的源极、所述第十五N型金属氧化物晶体管（N15）的源极和所述第十六N型金属氧化物晶体管（N16）的源极连接并接地；

所述第十一N型金属氧化物晶体管（N11）的源极、第十二N型金属氧化物晶体管（N12）的源极和所述第十四N型金属氧化物晶体管（N14）的漏极连接；

第一N型金属氧化物晶体管（N1）的漏极、第一N型金属氧化物晶体管（N1）的栅极、第三N型金属氧化物晶体管（N3）的栅极和第四N型金属氧化物晶体管（N4）的漏极连接；

第二N型金属氧化物晶体管（N2）的漏极、第二N型金属氧化物晶体管（N2）的栅极、第四N型金属氧化物晶体管（N4）的栅极和第三N型金属氧化物晶体管（N3）的漏极连接；

第三N型金属氧化物晶体管（N3）的源极、第四N型金属氧化物晶体管（N4）的源极和第六N型金属氧化物晶体管（N6）的漏极相连；

第一N型金属氧化物晶体管（N1）的源极、第二N型金属氧化物晶体管（N2）的源极和第五N型金属氧化物晶体管（N5）的漏极连接；

第五N型金属氧化物晶体管（N5）的源极和第六N型金属氧化物晶体管（N6）的源极连接并接地；

所述第七N型金属氧化物晶体管（N7）的栅极和所述第八N型金属氧化物晶体管（N8）的栅极分别作为正相输入端（Vip）和负相输入端（Vin）；所述第一P型金属氧化物晶体管（P1）的漏极和所述第二P型金属氧化物晶体管（P2）的漏极分别作为反相输出（Von）和正相输出（Vop）；

所述交叉耦合温度补偿电路包括第三P型金属氧化物晶体管（P3）、第四P型金属氧化物晶体管（P4）、第十七N型金属氧化物晶体管（N17）、第十八N型金属氧化物晶体管（N18）、第十九N型金属氧化物晶体管（N19）和第一电阻（R1）；

所述第三P型金属氧化物晶体管（P3）的栅极、所述第四P型金属氧化物晶体管（P4）的栅极和所述第十七N型金属氧化物晶体管（N17）的漏极连接；

所述第十七N型金属氧化物晶体管（N17）的源极、所述第十八N型金属氧化物晶体管（N18）的栅极、所述第十八N型金属氧化物晶体管（N18）的漏极和所述第十九N型金属氧化物晶体管（N19）的栅极连接；

所述第四P型金属氧化物晶体管（P4）的漏极、所述第十九N型金属氧化物晶体管（N19）的漏极、所述第十七N型金属氧化物晶体管（N17）的漏极和所述第十七N型金属氧化物晶体管（N17）的栅极连接；

所述第三P型金属氧化物晶体管（P3）的漏极、所述第十八N型金属氧化物晶体管（N18）的栅极和所述第十八N型金属氧化物晶体管（N18）的漏极连接；

所述第十八N型金属氧化物晶体管（N18）的源极和所述第十九N型金属氧化物晶体管（N19）源极通过所述第一电阻（R1）连接，所述第十八N型金属氧化物晶体管（N18）的源极接地；

所述第十八N型金属氧化物晶体管（N18）的栅极与所述第六N型金属氧化物晶体管（N6）的栅极连接。

2. 如权利要求1所述的提升增益变化范围的低温度系数可变增益放大器，其特征在于，所述增益控制电路包括第五P型金属氧化物晶体管（P5）、第六P型金属氧化物晶体管（P6）、第七P型金属氧化物晶体管（P7）、第八P型金属氧化物晶体管（P8）、第九P型金属氧化物晶体管（P9）、第十P型金属氧化物晶体管（P10）、第二十N型金属氧化物晶体管（N20）、第二十一N型金属氧化物晶体管（N21）、第二十二N型金属氧化物晶体管（N22）、第二十三N型金属氧化物晶体管（N23）、第二十四N型金属氧化物晶体管（N24）、第二十五N型金属氧化物晶体管（N25）、第二十六N型金属氧化物晶体管（N26）和第二电阻（R2），

    所述第五P型金属氧化物晶体管（P5）的源极、第六P型金属氧化物晶体管（P6）的源极、第七P型金属氧化物晶体管（P7）的源极、第八P型金属氧化物晶体管（P8）的源极、第九P型金属氧化物晶体管（P9）的源极和第十P型金属氧化物晶体管（P10）的源极连接；

    所述第五P型金属氧化物晶体管（P5）的漏极、所述第六P型金属氧化物晶体管（P6）的漏极、所述第二十二N型金属氧化物晶体管（N22）的栅极和所述第二十二N型金属氧化物晶体管（N22）的漏极连接；

    所述第七P型金属氧化物晶体管（P7）的栅极和所述第八P型金属氧化物晶体管（P8）的栅极连接；

    所述第八P型金属氧化物晶体管（P8）的漏极、所述第二十三N型金属氧化物晶体管（N23）的漏极和所述第二十三N型金属氧化物晶体管（N23）的栅极连接；

    所述第九P型金属氧化物晶体管（P9）的漏极、所述第二十四N型金属氧化物晶体管（N24）的漏极、所述第二十一N型金属氧化物晶体管（N21）的栅极、所述第二十四N型金属氧化物晶体管（N24）的栅极、所述第二十五N型金属氧化物晶体管（N25）的栅极和所述第二十六N型金属氧化物晶体管（N26）的源极连接；

    所述第九P型金属氧化物晶体管（P9）的栅极、所述第十P型金属氧化物晶体管（P10）的栅极、所述第十P型金属氧化物晶体管（P10）的漏极、所述第二十六N型金属氧化物晶体管（N26）的栅极、所述第二十六N型金属氧化物晶体管（N26）的漏极、所述第二十五N型金属氧化物晶体管（N25）的漏极和所述第六P型金属氧化物晶体管（P6）的栅极连接；

    所述第二十N型金属氧化物晶体管（N20）的源极、所述第二十一N型金属氧化物晶体管（N21）的源极、所述第二十二N型金属氧化物晶体管（N22）的源极、所述第二十三N型金属氧化物晶体管（N23）的源极、所述第二十四N型金属氧化物晶体管（N24）的源极和所述第二十五N型金属氧化物晶体管（N25）的源极均连接并接地；

    所述第二十N型金属氧化物晶体管（N20）的漏极、所述第二十一N型金属氧化物晶体管（N21）的漏极和所述第七P型金属氧化物晶体管（P7）的漏极连接；

    所述第二十五N型金属氧化物晶体管（N25）的源极和接地点之间设置有所述第二电阻（R2）。