[发明专利]一种电源控制装置及方法

权利要求书

1.一种电源控制装置，其特征在于，该装置包括：第一电源选择电路、第一低压差线性稳压器(LDO)、第二电源选择电路、第二LDO、基准电路、电压检测电路；其中，

所述第一电源选择电路，用于在通用串行总线输入(USBIN)电压和交流输入(ACIN)电压中选择电压较高的一路电压作为第一输出电压；

所述第一LDO，用于对第一输出电压进行降压作为第二输出电压，并在收到基准电压之后，关闭自身的自启动电路；

所述第二电源选择电路，用于在第二输出电压和电池电压(VBAT)中选择电压较高的一路电压作为第三输出电压；

所述第二LDO，用于在未使能时，将第三输出电压作为第一输入电压提供给基准电路，在使能时，自身向基准电路提供第一输入电压；

所述基准电路，用于根据所述第一输入电压为电压检测电路、第一LDO、第二LDO提供基准电压；

所述电压检测电路，用于根据基准电压确定USBIN电压或ACIN电压达到阈值电压时，为第二LDO提供使能信号。

2.根据权利要求1所述的电源控制装置，其特征在于，所述电压检测电路，还用于根据基准电压确定USBIN电压和ACIN电压均没有达到阈值电压时，停止为第二LDO提供使能信号。

3.根据权利要求2所述的电源控制装置，其特征在于，所述第二LDO，还用于在所述电压检测电路停止提供使能信号后，继续将第三输出电压作为第一输入电压提供给基准电路。

4.根据权利要求1所述的电源控制装置，其特征在于，所述第一LDO包括：第一运算放大器(OPA)、第一P沟道金属氧化物半导体场效应管(PMOS)、第二PMOS、第三PMOS、第四PMOS、第一N沟道金属氧化物半导体场效应管(NMOS)、第二NMOS、第一电阻、第二电阻、第三电阻、电容；其中，

所述第一OPA的第一输入端接收第一输出电压，第二输入端连接在所述第一电阻与所述第二电阻相连的中间部分，所述第一OPA的输出端与所述第一PMOS的栅极连接；所述第一PMOS的漏极作为输出，与第一电阻的一端和所述第二PMOS的漏极连接；所述第一PMOS的源极与所述第二PMOS的源极、所述第三PMOS的源极及所述第四PMOS的源极相连接；所述第二PMOS的漏极与电容的一端相连，所述电容的另一端与所述第二NOMS的栅极相连接，并连接在所述第二电阻与所述第三电阻相连的中间部分；所述第二PMOS的栅极与所述第三PMOS的漏极及所述第一NMOS的漏极相连接；所述第四PMOS的栅极、漏极与所述第二NMOS的漏极相连接；所述第二NMOS的源极与所述第一NMOS的源极相连接，并连接在所述第三电阻的另一端；所述第三PMOS的栅极与所述第四PMOS的栅极和所述第二NMOS的漏极相连接；所述第一电阻与所述第二电阻和所述第三电阻串联连接在所述第一PMOS的漏极与所述第一NMOS的源极之间；所述第一NMOS的栅极接收偏置电流；

所述第二PMOS、第三PMOS、第四PMOS、第一NMOS、第二NMOS、电容构成自启动电路。

5.根据权利要求1所述的电源控制装置，其特征在于，所述第二LDO包括：第二OPA、第五PMOS、第三NMOS、第四NMOS、第四电阻、第五电阻；其中，

所述第五PMOS的栅极与漏极、所述第二OPA的输出端、及所述第三NMOS的漏极相连接，所述第五PMOS的源极接收第三输出电压，所述第五PMOS的漏极作为输出，与第四电阻的一端连接；所述第二OPA的第三输入端接收基准电压，第四输入端连接所述第四电阻和所述第五电阻相连的中间部分，第五输入端接收第三输出电压，第六输入端接收使能信号；所述第三NMOS的源极与所述第四NMOS的源极相连，并连接接地点，所述第三NMOS的栅极接收反使能信号；所述第四NMOS的栅极接收使能信号，漏极与所述第五电阻的一端相连；所述第四电阻与所述第五电阻串联连接在第五PMOS的漏极和第四NMOS的漏极之间。

6.根据权利要求5所述的电源控制装置，其特征在于，所述第二OPA结构为：PMOS输入的串叠式(Cascode)输出结构。