[发明专利]一种沟槽型MOS器件的导通电阻的仿真分析方法

权利要求书

1.一种沟槽型MOS器件的导通电阻的仿真分析方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）建立沟槽型MOS器件的第一模型，该第一模型包括依次层叠的衬底、漂移区、体区、源区，以及贯穿所述源区及漂移区的沟槽结构；

2）对所述第一模型的电流进行模拟，计算出源漏电阻R₁；

3）将所述衬底去除形成第二模型，对所述第二模型的电流进行模拟，计算出第二模型的电阻R₂，并获得所述衬底的电阻R₃=R₁-R₂；

4）减薄所述漂移区，并对减薄后的漂移区进行高浓度掺杂形成第三模型，对所述第三模型的电流进行模拟，计算出第三模型的电阻R₄，该电阻R₄为沟道及源扩散电阻的总阻值；

5）依据所述第一模型的电流模拟测出器件导通时电子累积层的厚度，将所述第三模型的漂移区的高浓度掺杂区域移至电子累积层以下形成第四模型，对所述第四模型的电流进行模拟，计算出第四模型的电阻R₅，并获得电子累积层的电阻R₆=R₅-R₄；

6）计算出所述漂移区的电阻R₇=R₁-R₃-R₄-R₆。

2.根据权利要求1所述的沟槽型MOS器件的导通电阻的仿真分析方法，其特征在于：所述仿真分析方法所采用的仿真工具为TCAD仿真工具。

3.根据权利要求1所述的沟槽型MOS器件的导通电阻的仿真分析方法，其特征在于：所述第一模型所采用的衬底的厚度与实际沟槽型MOS器件中衬底的厚度相等。

4.根据权利要求1所述的沟槽型MOS器件的导通电阻的仿真分析方法，其特征在于：所述衬底为N型衬底，所述漂移区为N型漂移区，所述体区为P型体区，所述源区为N型源区。

5.根据权利要求4所述的沟槽型MOS器件的导通电阻的仿真分析方法，其特征在于：步骤4）及步骤5）中，高浓度掺杂的导电类型为N型。

6.根据权利要求1所述的沟槽型MOS器件的导通电阻的仿真分析方法，其特征在于：所述沟槽结构包括贯穿所述源区及漂移区的沟槽、结合于所述沟槽表面的栅氧层以及填充于所述栅氧层中的多晶硅层。

7.根据权利要求1所述的沟槽型MOS器件的导通电阻的仿真分析方法，其特征在于：所述仿真分析方法中，各步骤对电流进行模拟时所加载的源极电压、漏极电压及栅极电压均保持一致。