[发明专利]形成用于FO-EWLB中电源/接地平面的嵌入导电层的半导体器件和方法

权利要求书

1.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供半导体管芯；

与所述半导体管芯相邻地布置第一接地平面；

在所述第一接地平面和半导体管芯上沉积密封剂；以及

在所述第一接地平面、半导体管芯和密封剂上方形成导电层，其中所述导电层包括，从所述第一接地平面电耦合到电压参考电路节点的导电迹线，以及直接在所述第一接地平面上形成的信号迹线。

2.权利要求1的方法，进一步包括在所述第一接地平面上的所述导电层中形成电源网络。

3.权利要求1的方法，进一步包括：

在所述第一接地平面和半导体管芯上形成绝缘层；以及

形成包括所述第一接地平面、绝缘层和导电层的解耦电容器。

4.权利要求1的方法，进一步包括：

提供虚管芯；以及

在所述虚管芯上形成所述第一接地平面。

5.权利要求1的方法，进一步包括在所述半导体管芯的表面上形成第二接地平面。

6.一种制作半导体器件的方法，包括：

提供导电平面；

在载体上布置所述导电平面；

在所述载体上与所述导电平面相邻地布置半导体管芯；

在半导体管芯和导电平面的第一表面上沉积密封剂；

在沉积密封剂后移除所述载体；以及

在所述导电平面、半导体管芯以及密封剂上形成导电层，其中所述导电层包括：直接在与所述导电平面的所述第一表面相对的所述导电平面的第二表面上方延伸并电连接到所述半导体管芯的第一导电迹线，以及与所述第一导电迹线分离并且将所述导电平面耦合到电压参考电路节点的第二导电迹线。

7.权利要求6的方法，进一步包括：提供包括所述导电平面的衬底和穿过所述衬底形成的多个垂直互连结构。

8.权利要求6的方法，进一步包括：

在所述导电平面和所述半导体管芯上形成绝缘层；以及

在所述绝缘层上形成微带线。

9.权利要求6的方法，其中提供所述导电平面作为图案化引线框架、图案化的铜箔、包括图案化的铜的树脂涂覆的带、或包括图案化的铜的预浸料的一部分。

10.一种半导体器件，包括：

半导体管芯；

与所述半导体管芯相邻布置的接地平面；

沉积在所述接地平面的第一表面上的密封剂；以及

形成在与所述接地平面的第一表面相对的所述接地平面的第二表面上方的导电层，并且所述导电层包括：电连接到所述半导体管芯并在所述接地平面上方延伸的第一导电迹线；以及 形成在所述接地平面上方的第二导电迹线。

11.权利要求10的半导体器件，进一步包括衬底，所述衬底包括与所述半导体管芯相邻布置的穿过所述衬底形成的多个垂直互连结构。

12.权利要求11的半导体器件，其中所述接地平面在所述衬底上形成。

13.权利要求10的半导体器件，进一步包括与所述半导体管芯相邻布置的虚管芯，其中在所述虚管芯上形成所述接地平面。

14.权利要求10的半导体器件，进一步包括：

在所述接地平面和导电层之间布置的绝缘层；以及

包括所述接地平面、绝缘层和部分所述导电层的解耦电容器。