[发明专利]结合实体坐标的位失效侦测方法有效
申请号: | 201410084502.7 | 申请日: | 2014-03-10 |
公开(公告)号: | CN104916559B | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 骆统;陈琪旻;杨令武;杨大弘;陈光钊 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 结合 实体 标的 失效 侦测 方法 | ||
1.一种结合实体坐标的位失效侦测方法,包括:
取得一晶圆对位检测数据,所述晶圆对位检测数据包括一晶圆内每一层的多个缺陷的影像和所述缺陷于所述晶圆内的多个实体坐标;
进行一位失效侦测步骤,以得到所述晶圆内多个失效位的一数字坐标;
转换所述数字坐标为线或多边形的多个实体位置;以及
将所述实体位置重叠于所述晶圆内的所述实体坐标,以得到所述失效位与所述缺陷之间的关联性。
2.根据权利要求1所述的结合实体坐标的位失效侦测方法,更包括:
根据各该失效位的所述实体位置对应所述晶圆内的所述实体坐标,得到所述缺陷的多个扫描式电子显微影像;以及
依据所述扫描式电子显微影像判定导致所述失效位的原因。
3.根据权利要求1所述的结合实体坐标的位失效侦测方法,其中所述实体位置重叠于所述晶圆内的所述实体坐标的步骤包括:根据所述晶圆对位检测数据中不同的所述缺陷,将所述失效位进行分类。
4.一种结合实体坐标的位失效侦测方法,包括:
进行一位失效侦测步骤,以取得一晶圆内的所有失效位的一数字坐标;
将所述数字坐标转换为一图形数据系统坐标或一检测结果坐标;
比对所述图形数据系统坐标或所述检测结果坐标的一数据与所述晶圆的一数据库档案,以输出所述失效位的多个实体位置;以及
比对所述实体位置与所述晶圆的一检测结果档,以得到与所述失效位相应的多个缺陷。
5.根据权利要求4所述的结合实体坐标的位失效侦测方法,更包括根据所述缺陷对所述失效位进行分类。
6.根据权利要求4所述的结合实体坐标的位失效侦测方法,其中所述数字坐标转换的是所述检测结果坐标的话,则在比对所述数据与所述数据库档案的步骤中,将所述检测结果坐标直接与检测缺陷晶圆图进行比对。
7.根据权利要求4所述的结合实体坐标的位失效侦测方法,其中所述数字坐标转换的是所述图形数据系统坐标的话,则在比对所述数据与所述数据库档案的步骤前更包括:将检测缺陷晶圆图坐标转为一图形数据系统文件的坐标。
8.根据权利要求1或4所述的结合实体坐标的位失效侦测方法,其中所述位失效侦测步骤所得的所述数字坐标包括多个位线的失效以及多个字线的失效。
9.根据权利要求8所述的结合实体坐标的位失效侦测方法,其中所述位线的失效或所述字线的失效包括开路(open)、短路(short)或通路(close)。
10.根据权利要求1或4所述的结合实体坐标的位失效侦测方法,其中所述缺陷的部位包括字线、位线、多晶硅层或接触窗。
11.根据权利要求1或4所述的结合实体坐标的位失效侦测方法,更包括通过比较所述失效位的数量以及所述缺陷的总数,来得到导因于位失效的缺陷的机率。
12.根据权利要求1或4所述的结合实体坐标的位失效侦测方法,更包括通过所述晶圆内位于不同晶粒的检测结果得到重复的系统缺陷。
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