[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法在审
申请号: | 201410084268.8 | 申请日: | 2014-03-07 |
公开(公告)号: | CN103811511A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 饶金华;孙玉红;张克云 | 申请(专利权)人: | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背照式 图像传感器 及其 形成 方法 | ||
1.一种背照式图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:
提供衬底,所述衬底具有第一表面、以及与所述第一表面相对的第二表面,所述衬底内具有感光器件;
至少在所述感光器件上方的衬底第一表面形成器件层;
在感光器件正上方的器件层表面形成凸部,所述凸部表面为弧面、且相对于器件层表面凸起,所述感光器件与凸部之间的部分器件层材料为透光材料,所述凸部的材料为透光材料;
在所述凸部表面形成反光层,所述反光层用于反射光线;
在形成反光层之后,在衬底的第二表面形成滤色层结构、以及位于滤色层结构表面的微透镜结构,所述滤色层结构和微透镜结构的位置与感光器件对应,外部光线自衬底第二表面入射、并通过微透镜结构和滤色层结构进入感光器件。
2.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法,其特征在于,所述凸部的形成方法包括:在器件层表面形成凸部层;在感光器件上方的凸部层表面形成第一掩膜层,所述第一掩膜层表面为弧面、且相对于凸部层表面凸起;采用各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述第一掩膜层和凸部层,直至去除第一掩膜层、并使凸部层形成凸部,所述各向异性的刻蚀工艺对于第一掩膜层和凸部层均具有刻蚀速率。
3.如权利要求2所述的背照式图像传感器的形成方法,其特征在于,所述第一掩膜层为光刻胶层,所述第一掩膜层的形成工艺包括:在凸部层表面涂布光刻胶膜;对所述光刻胶膜进行曝光,以去除感光器件以外的凸部层表面的光刻胶膜,并且使感光器件上方的光刻胶膜表面呈圆弧形并凸起。
4.如权利要求2所述的背照式图像传感器的形成方法,其特征在于,所述各向异性的刻蚀工艺为干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺;其中,所述干法刻蚀工艺包括反应离子刻蚀工艺。
5.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法,其特征在于,所述反光层的材料为铝或银,所述反光层的形成方法包括:在器件层和凸部表面形成反光膜;在凸部上的反光膜表面形成第二掩膜层;以所述第二掩膜层为掩膜,刻蚀凸部以外的反光膜,直至暴露出器件层表面为止,形成反光层;在所述刻蚀工艺之后,去除所述第二掩膜层。
6.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法,其特征在于,所述器件层包括:位于衬底第一表面的器件结构、以及电隔离所述器件结构的第一介质层。
7.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法,其特征在于,还包括:在形成反光层之后,在器件层和反光层表面形成第二介质层,所述第二介质层内具有电互连结构。
8.一种采用如权利要求1至7任一项方法所形成的背照式图像传感器,其特征在于,包括:
衬底,所述衬底具有第一表面、以及与所述第一表面相对的第二表面,所述衬底内具有感光器件;
至少位于所述感光器件上方的衬底第一表面的器件层;
位于感光器件正上方的器件层表面的凸部,所述凸部表面为弧面、且相对于器件层表面凸起,所述感光器件与凸部之间的部分器件层材料为透光材料,所述凸部的材料为透光材料;
位于所述凸部表面的反光层,所述反光层用于反射光线;
位于衬底第二表面的滤色层结构、以及位于滤色层结构表面的微透镜结构,所述滤色层结构和微透镜结构的位置与感光器件对应,外部光线自衬底第二表面入射、并通过微透镜结构和滤色层结构进入感光器件。
9.如权利要求8所述的背照式图像传感器,其特征在于,还包括:位于器件层和反光层表面的第二介质层,所述第二介质层内具有电互连结构。
10.如权利要求8所述的背照式图像传感器,其特征在于,所述器件层包括:位于衬底表面的器件结构、以及电隔离所述器件结构的第一介质层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的