[发明专利]背照式图像传感器及其形成方法在审

专利信息
申请号: 201410084268.8 申请日: 2014-03-07
公开(公告)号: CN103811511A 公开(公告)日: 2014-05-21
发明(设计)人: 饶金华;孙玉红;张克云 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 201203 上海市浦东新*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 背照式 图像传感器 及其 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种背照式图像传感器的形成方法,其特征在于,包括:

提供衬底,所述衬底具有第一表面、以及与所述第一表面相对的第二表面,所述衬底内具有感光器件;

至少在所述感光器件上方的衬底第一表面形成器件层;

在感光器件正上方的器件层表面形成凸部,所述凸部表面为弧面、且相对于器件层表面凸起,所述感光器件与凸部之间的部分器件层材料为透光材料,所述凸部的材料为透光材料;

在所述凸部表面形成反光层,所述反光层用于反射光线;

在形成反光层之后,在衬底的第二表面形成滤色层结构、以及位于滤色层结构表面的微透镜结构,所述滤色层结构和微透镜结构的位置与感光器件对应,外部光线自衬底第二表面入射、并通过微透镜结构和滤色层结构进入感光器件。

2.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法,其特征在于,所述凸部的形成方法包括:在器件层表面形成凸部层;在感光器件上方的凸部层表面形成第一掩膜层,所述第一掩膜层表面为弧面、且相对于凸部层表面凸起;采用各向异性的干法刻蚀工艺刻蚀所述第一掩膜层和凸部层,直至去除第一掩膜层、并使凸部层形成凸部,所述各向异性的刻蚀工艺对于第一掩膜层和凸部层均具有刻蚀速率。

3.如权利要求2所述的背照式图像传感器的形成方法,其特征在于,所述第一掩膜层为光刻胶层,所述第一掩膜层的形成工艺包括:在凸部层表面涂布光刻胶膜;对所述光刻胶膜进行曝光,以去除感光器件以外的凸部层表面的光刻胶膜,并且使感光器件上方的光刻胶膜表面呈圆弧形并凸起。

4.如权利要求2所述的背照式图像传感器的形成方法,其特征在于,所述各向异性的刻蚀工艺为干法刻蚀工艺或湿法刻蚀工艺;其中,所述干法刻蚀工艺包括反应离子刻蚀工艺。

5.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法,其特征在于,所述反光层的材料为铝或银,所述反光层的形成方法包括:在器件层和凸部表面形成反光膜;在凸部上的反光膜表面形成第二掩膜层;以所述第二掩膜层为掩膜,刻蚀凸部以外的反光膜,直至暴露出器件层表面为止,形成反光层;在所述刻蚀工艺之后,去除所述第二掩膜层。

6.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法,其特征在于,所述器件层包括:位于衬底第一表面的器件结构、以及电隔离所述器件结构的第一介质层。

7.如权利要求1所述的背照式图像传感器的形成方法,其特征在于,还包括:在形成反光层之后,在器件层和反光层表面形成第二介质层,所述第二介质层内具有电互连结构。

8.一种采用如权利要求1至7任一项方法所形成的背照式图像传感器,其特征在于,包括:

衬底,所述衬底具有第一表面、以及与所述第一表面相对的第二表面,所述衬底内具有感光器件;

至少位于所述感光器件上方的衬底第一表面的器件层;

位于感光器件正上方的器件层表面的凸部,所述凸部表面为弧面、且相对于器件层表面凸起,所述感光器件与凸部之间的部分器件层材料为透光材料,所述凸部的材料为透光材料;

位于所述凸部表面的反光层,所述反光层用于反射光线;

位于衬底第二表面的滤色层结构、以及位于滤色层结构表面的微透镜结构,所述滤色层结构和微透镜结构的位置与感光器件对应,外部光线自衬底第二表面入射、并通过微透镜结构和滤色层结构进入感光器件。

9.如权利要求8所述的背照式图像传感器,其特征在于,还包括:位于器件层和反光层表面的第二介质层,所述第二介质层内具有电互连结构。

10.如权利要求8所述的背照式图像传感器,其特征在于,所述器件层包括:位于衬底表面的器件结构、以及电隔离所述器件结构的第一介质层。

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