[发明专利]光电传感器系统有效

专利信息
申请号: 201410084136.5 申请日: 2007-07-12
公开(公告)号: CN103954595A 公开(公告)日: 2014-07-30
发明(设计)人: M·索纳雷特内尔 申请(专利权)人: 纳米识别技术股份公司
主分类号: G01N21/64 分类号: G01N21/64
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 沈英莹
地址: 奥地*** 国省代码: 奥地利;AT
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摘要:
搜索关键词: 光电 传感器 系统
【权利要求书】:

1.一种用于激励和检测试样的光电传感器系统,该光电传感器系统包括:

一个透明的第一基片,该第一基片具有直接可够得到的试样表面,试样在所述试样表面上以微阵列点的方式设置,并且该第一基片具有第一折射率,和

一个与试样表面相对置地且直接地设置在第一基片上的中间层,所述中间层具有较小的第二折射率,其中,用于激励试样的光能够耦入到该第一基片中,所述光由于在第一基片和中间层之间的全反射作为平面光波在第一基片中传播,和

一个在第二基片上设置的光敏光电传感器层,该光敏光电传感器层由有机半导体材料制成,其中,第二基片设置在中间层的下方,

其特征在于:

所述中间层由聚二甲基硅氧烷(PDMS)制成,并且

在传感器层和中间层之间设置第三基片,

所述第三基片直接设置在中间层上,并且第二基片和第三基片还封装传感器层,

其中,第一基片、第二基片和第三基片由玻璃制成或者构成为玻璃载体,并且

光敏光电传感器层由一个或多个半导体层在两个电极层之间形成,其中的面向试样表面的电极层构造成至少按区域透光,

并且在试样表面上设置光耦入元件。

2.根据权利要求1所述的光电传感器系统,其特征在于,光耦入元件构造成棱镜或光栅。

3.根据上述权利要求之一所述的光电传感器系统,其特征在于,所述第一层的厚度为50μm-300μm。

4.根据上述权利要求之一所述的光电传感器系统,其特征在于,在第二层和传感器层之间设置其它光过滤层。

5.根据权利要求5所述的光电传感器系统,其特征在于,所述第二层被添加有改变该层的光透射特性的物质。

6.根据权利要求8所述的光电传感器系统,其特征在于,所添加的物质是具有吸收性的色素或颜料。

7.根据权利要求10所述的光电传感器系统,其特征在于,所述光射线入射到第一玻璃载体中的入射角优选大于玻璃和PDMS之间全反射的临界角,即高于69°。

8.根据上述权利要求之一所述的光电传感器系统,其特征在于,第一玻璃载体的厚度是50μm-200μm,第一玻璃载体以及第三玻璃载体和PDMS中间层的厚度大约是300μm,传感器的总厚度大约是1mm。

9.根据上述权利要求之一所述的光电传感器系统,其特征在于,使用波长为300nm-650nm的激光器、LED或OLED作为进行激励的光源。

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