[发明专利]一种软快恢复二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种软快恢复二极管，所述二极管包括N型本征区（01）、背N+缓冲区（02）、阳极金属层（051）以及阴极金属层（052），所述背N+缓冲区（02）设置于N型本征区（01）的背面，所述阳极金属层（051）设置于二极管的阳极；所述阴极金属层（052）设置于二极管的阴极；

其特征在于，在所述N型本征区（01）的正面和阳极金属层（051）之间设有P型发射区（13），在所述阳极金属层（051）的两端对称设有掩蔽氧化层，在二极管有源区的边界处设有P型高阻区（18），在有源区的中心处设有P+欧姆接触层（19）；全局寿命控制区（16）设置于二极管的整体，覆盖二极管的所有结构层；在二极管的轴向方向上，所述局域寿命控制层（17）位于P型发射区（13）内靠近P+欧姆接触层（19）的位置上，在二极管的垂直于轴向的方向上，局域寿命控制层（17）位于P型发射区（13）和P型高阻区（18）组成的平面内，避免局域寿命控制层（17）出现在终端区，采用注入挡版挡住终端区以实现区域注入，挡版材质采用光刻板、金属或光刻胶实现。

2.如权利要求1所述的软快恢复二极管，其特征在于，所述P型发射区（13）的横向宽度小于N型本征区（01）的横向宽度；所述P型高阻区（18）的横向宽度小于P型发射区（13）的横向宽度且P型高阻区（18）对称设置于P型发射区（13）的两端；所述P型发射区（13）的表面掺杂浓度为3e15-5e17cm^-3，结深为4-25um；所述P型高阻区（18）的掺杂浓度为1e15-1e17cm^-3，结深为5-30um。

3.如权利要求1所述的软快恢复二极管，其特征在于，所述掩蔽氧化层包括一次掩蔽氧化层（141、142）和二次掩蔽氧化层（143、144）；二次掩蔽氧化层（144）的高度大于二次掩蔽氧化层（143）的高度；二次掩蔽氧化层（144）和二次掩蔽氧化层（143）形成阶梯状。

4.如权利要求3所述的软快恢复二极管，其特征在于，所述二次掩蔽氧化层（144）和二次掩蔽氧化层（143）形成阶梯状对称设置于P+欧姆接触层（19）。

5.如权利要求1所述的软快恢复二极管，其特征在于，所述局域寿命控制层（17）的寿命为1-100ns。

6.如权利要求1所述的软快恢复二极管，其特征在于，采用H⁺或He⁺⁺离子进行高能离子注入形成局域寿命控制层（17），采用扩Pt或者电子辐照的方式形成全局寿命控制区（16）。

7.如权利要求1所述的软快恢复二极管，其特征在于，所述P型发射区（13）和P+欧姆接触层（19）组成有源区，所述P型高阻区（18）掺杂浓度低于P型发射区（13）的掺杂浓度，所述P型高阻区（18）宽度小于有源区宽度。