[发明专利]半导体器件的测试方法有效
| 申请号： | 201410081201.9 | 申请日： | 2014-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN103822948A | 公开（公告）日： | 2014-05-28 |
| 发明（设计）人： | 张海福;王立斌;舒畅;卓明川 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/24 | 分类号： | G01N27/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 测试 方法 | ||
1.一种半导体器件的测试方法，其特征在于，包括：
提供半导体器件，所述半导体器件包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底上的金属图案，所述金属图案包括第一电极和第二电极；位于所述半导体衬底上所述第一电极和所述第二电极之间的介电层；
提供所述第一电极和所述第二电极之间的电容标准值，并检测所述第一电极和所述第二电极之间的电容真实值；
当所述电容真实值与所述电容标准值的差值的绝对值与所述电容标准值之间的比值大于阈值时，判断所述介电层中存在空气间隙。
2.如权利要求1所述的半导体器件的测试方法，其特征在于，所述金属图案的材料包括铝或钨。
3.如权利要求1所述的半导体器件的测试方法，其特征在于，所述介电层的材料为低k材料或超低k材料。
4.如权利要求1所述的半导体器件的测试方法，其特征在于，所述金属图案为梳状电容结构。
5.如权利要求4所述的半导体器件的测试方法，其特征在于，还包括：对所述半导体器件进行晶片允收测试，所述晶片允收测试包括金属线间绝缘性测试，所述金属线间绝缘性测试采用的测试结构与所述金属图案为同一结构。
6.如权利要求1所述的半导体器件的测试方法，其特征在于，所述介电层采用高密度等离子体化学气相沉积方法形成。
7.如权利要求1所述的半导体器件的测试方法，其特征在于，所述阈值大于或等于10%。
8.如权利要求1所述的半导体器件的测试方法，其特征在于，所述电容标准值通过计算的方式获取。
9.如权利要求1所述的半导体器件的测试方法，其特征在于，所述电容标准值通过测量的方式获取。
10.如权利要求1所述的半导体器件的测试方法，其特征在于，当判断所述介电层中存在空气间隙之后，所述半导体器件的测试方法还包括：采用失效分析的方法对所述半导体器件进行检测。
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