[发明专利]一种电致发光器件及其制备方法和显示装置

权利要求书

1.一种电致发光器件，其特征在于，包括相对设置的第一电极和第二电极，以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层，其中，所述发光层包括：

位于所述第一电极上呈阵列分布的第一导电类型的纳米线；

包覆所述纳米线的第二导电类型的包覆层，所述包覆层与所述第二电极电连接。

2.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述纳米线的长度为1～5mm，直径为100～500nm，密度为7×10⁶～5×10⁷根/平方微米。

3.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述包覆层的厚度为20～500nm。

4.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述纳米线和包覆层的材质可独立选自下述本征半导体材料：硫化钙、硫化锌、硫代氧化钇、氧化钆、焦磷酸镁、焦磷酸钙、焦磷酸锶、焦磷酸钡、硫化镧钙、硫化钇锶，硫化锶、硫化钙、氧化钇、氧化钒钇、硫代氧化钆、硫化二钆锶、五氧化硅二钇、七氧化二硅二钇、氧化锌、硫化镉、十七氧化十铝镁钡、四硫化二铝钙、二氯四原硅酸镁八钙、三氧硼钇、原硅酸钡、焦硅酸锌二钡、四氧化二铝钡、八氧化三硅二锶、氯化锶、原硅酸锌、正硅酸钇、二氯六磷酸化十钙、二十七氧化十六铝二镁钡或钇铝石榴石。

5.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，还包括位于所述包覆层和所述纳米线之间的缓冲层。

6.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，还包括：位于所述第一电极朝向所述发光层一侧的取向层，所述取向层与所述纳米线的材质相同。

7.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述第一电极为透明导电阳极，所述第二电极为反射金属阴极。

8.如权利要求1所述的电致发光器件，其特征在于，所述第一电极为反射金属阴极，所述第二电极为透明导电阳极。

9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～8任一项所述的电致发光器件。

10.一种电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括：

形成位于背板上的第一电极；

形成位于所述第一电极上呈阵列分布的第一导电类型的纳米线；

形成包覆所述纳米线的第二导电类型的包覆层；

形成与所述包覆层电连接的第二电极。

11.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，在形成包覆所述纳米线的第二导电类型的包覆层之后，还包括对所述包覆层进行退火。

12.如权利要求10所述的制备方法，其特征在于，在形成位于所述第一电极上呈阵列分布的纳米线之后，还包括采用等离子体轰击所述纳米线的表面。

13.如权利要求10～12任一项所述的制备方法，其特征在于，所述形成位于所述第一电极上呈阵列分布的第一导电类型的纳米线具体包括：

形成位于第一电极之上的取向层；

形成位于所述取向层上的呈阵列分布的第一导电类型的纳米线。