[发明专利]改变半导体激光器堆栈慢轴方向光场分布的方法有效
申请号: | 201410080703.X | 申请日: | 2014-03-06 |
公开(公告)号: | CN103855603A | 公开(公告)日: | 2014-06-11 |
发明(设计)人: | 王智勇;贾冠男;尧舜;潘飞;高祥宇;李峙 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H01S5/06 | 分类号: | H01S5/06 |
代理公司: | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人: | 昝美琪 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 改变 半导体激光器 堆栈 方向 分布 方法 | ||
1.改变半导体激光器堆栈慢轴方向光场分布的方法,该方法主要包括:选取具有不同填充因子或与之对应的发光单元个数的多个半导体激光阵列器件;在多个半导体激光阵列器件中,选出其中数个其慢轴方向光场分布不同的半导体激光阵列器件;将该数个半导体激光阵列器件按照一定的次序堆叠,使堆栈慢轴方向光场按特定要求分布。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述数个其慢轴方向光场分布不同的半导体激光阵列器件具有相同的波长。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,所述数个半导体激光阵列器件按照竖向依次堆叠方式叠加。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述数个半导体激光阵列器件按照从上至下依次堆叠方式叠加。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述数个半导体激光阵列器件按照从下往上依次堆叠方式叠加。
6.根据前述权利要求2至5中任一项所述的方法,其特征在于,所述堆栈慢轴方向光场分布叠加成平顶化的光场分布。
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