[发明专利]一种无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层的制备方法

权利要求书

1.一种无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层的制备方法，所述的无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池包括基体、背电极Mo层、吸收层即铜铟镓硒层、缓冲层即i-ZnO层和窗口层即n-ZnO层，所述的无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池自下而上依次为基体、背电极Mo层、吸收层、缓冲层和窗口层；

所述基体为普通的钠钙玻璃；

其特征在于所述的无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层的制备方  法具体包括如下步骤：

（1）、在基体上，采用磁控溅射仪直流磁控溅射制备背电极Mo层；

（2）、然后依次采用磁控溅射仪射频磁控溅射预溅射铜铟预制层和铜镓预制层，然后在真空硒化炉硒化得到吸收层即铜铟镓硒层；

（3）、磁控溅射仪射频磁控溅射缓冲层即i-ZnO层；

即在铜铟镓硒层上采用磁控溅射仪控制射频溅射功率为200W，溅射氩气流量为32sccm，溅射气压为0.2-1.5Pa进行射频溅射5min，得到缓冲层即i-ZnO层；

射频溅射过程中溅射室的本底真空度为5.0×10^-4Pa；

基底温度为25-350℃；

采用纯度为99.99%的ZnO陶瓷靶，直径为75mm，厚度为3mm，靶基距55mm。

2.如权利要求1所述的一种无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层的制备方法，其特征在于：

制备过程步骤（1）中所述的在基体上，采用磁控溅射仪直流磁控溅射制备背电极Mo层，即采用磁控溅射仪控制溅射功率为90w，溅射气压为1.2Pa，溅射氩气流量为22sccm进行直流磁控溅射8min得到背电极Mo层；         

步骤（2）中所述的依次采用磁控溅射仪射频磁控溅射预溅射铜铟预制层和铜镓预制层，然后在真空硒化炉硒化得到吸收层即铜铟镓硒层，即：

首先，在步骤（1）所得的背电极Mo层上采用磁控溅射仪控制溅射功率为90W,溅射气压为1.2Pa,溅射氩气流量为32sccm进行射频磁控溅射,溅射20min得到铜铟预制层；

然后，再采用磁控溅射仪在铜铟预制层上，控制溅射功率为90W,溅射气压为1.2Pa,溅射氩气流量为32sccm进行射频磁控溅射10min得到铜镓预制层；

最后，在真空硒化炉中控制温度为550℃进行硒化20min， 即得吸收层即铜铟镓硒层。

3.如权利要求2所述的一种无镉的铜铟镓硒薄膜太阳能电池的缓冲层的制备方法，其特征在于步骤（3）中所述的磁控溅射仪射频磁控溅射制备缓冲层即i-ZnO层过程中溅射气压为0.6Pa，基体温度为250℃。