[发明专利]固体摄像装置以及固体摄像装置的制造方法

权利要求书

1.一种固体摄像装置，具备：

光电转换元件，将入射的光光电转换成与受光量相对应的量的电荷而进行蓄积；

浮动传播区，临时蓄积从所述光电转换元件读出的电荷；以及

放大晶体管，栅极电极与所述浮动传播区连接，该放大晶体管输出基于蓄积于所述浮动传播区的电荷量的信号，

所述放大晶体管具备：

第一浓度区域，设置于耗尽层的最大区域的至少一部分；以及

第二浓度区域，设置于比所述第一浓度区域深的位置，杂质浓度比所述第一浓度区域的杂质浓度高。

2.如权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

所述第一浓度区域设置于比所述放大晶体管的源极以及漏极的最大深度浅的位置。

3.如权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

所述第一浓度区域跨越所述耗尽层的最大区域和比所述放大晶体管的源极以及漏极的最大深度深的区域而设置。

4.如权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

所述放大晶体管为，在比所述第一浓度区域浅的区域具备杂质浓度比所述第一浓度区域的杂质浓度高的第三浓度区域。

5.如权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

所述第一浓度区域的杂质浓度为所述第二浓度区域的杂质浓度的1/2以下。

6.如权利要求1所述的固体摄像装置，其中，

所述第一浓度区域与所述第二浓度区域邻接设置。

7.一种固体摄像装置的制造方法，包括：

形成将入射的光光电转换成与受光量相对应的量的电荷而进行蓄积的光电转换元件，

形成临时蓄积从所述光电转换元件读出的电荷的浮动传播区，

形成栅极电极与所述浮动传播区连接、输出基于蓄积于所述浮动传播区的电荷量的信号的放大晶体管，

在形成所述放大晶体管的情况下，在耗尽层的最大区域的至少一部分形成第一浓度区域，在比所述第一浓度区域深的位置形成杂质浓度比所述第一浓度区域的杂质浓度高的第二浓度区域。

8.如权利要求7所述的固体摄像装置的制造方法，包括：

在比所述放大晶体管的源极以及漏极的最大深度浅的位置形成所述第一浓度区域。

9.如权利要求7所述的固体摄像装置的制造方法，包括：

在跨越所述耗尽层的最大区域和比所述放大晶体管的源极以及漏极的最大深度深的区域的位置形成所述第一浓度区域。

10.如权利要求7所述的固体摄像装置的制造方法，包括：

在形成所述放大晶体管的情况下，在比所述第一浓度区域浅的区域形成杂质浓度比所述第一浓度区域的杂质浓度高的第三浓度区域。

11.如权利要求7所述的固体摄像装置的制造方法，包括：

所述第一浓度区域的杂质浓度为所述第二浓度区域的杂质浓度的1/2以下。

12.如权利要求7所述的固体摄像装置的制造方法，包括：

将所述第一浓度区域与所述第二浓度区域邻接设置。