[发明专利]金属与N型锗接触的制备方法与应用在审
| 申请号： | 201410077067.5 | 申请日： | 2014-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN103887228A | 公开（公告）日： | 2014-06-25 |
| 发明（设计）人： | 周志文;沈晓霞;李世国 | 申请（专利权）人： | 深圳信息职业技术学院 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 张全文 |
| 地址： | 518172 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 接触 制备 方法 应用 | ||
1.一种金属与N型锗接触的制备方法，包括如下步骤：
对N型锗衬底进行表面清洗；
在所述N型锗衬底表面沉积一层厚度为0.3～10nm的N型掺杂的半导体层；
在所述N型掺杂的半导体层外表面沉积一层金属层。
2.根据权利要求1所述的金属与N型锗接触的制备方法，其特征在于，所述N型掺杂的半导体层为宽禁带半导体层，其禁带宽度在3.0eV以上，自由电子浓度在1×1018cm3以上。
3.根据权利要求1所述的金属与N型锗接触的制备方法，其特征在于，所述N型掺杂的半导体层的材质为氧化锌、氧化铟锡或氧化钛中的任一种。
4.根据权利要求1所述的金属与N型锗接触的制备方法，其特征在于，所述N型锗衬底与所述N型掺杂的半导体层的导带带阶小于0.1eV。
5.根据权利要求1～4任一所述的金属与N型锗接触的制备方法，其特征在于，所述半导体层沉积的方法为磁控溅射法、原子层沉淀法、电子束蒸发法或化学气相沉积法中的任一种。
6.根据权利要求1～4任一所述的金属与N型锗接触的制备方法，其特征在于，所述N型锗衬底为体锗衬底、锗覆绝缘衬底、外延锗衬底中的任一种。
7.根据权利要求1～4任一所述的金属与N型锗接触的制备方法，其特征在于，所述金属层的金属为铝、钛、镍、金中的任一种。
8.根据权利要求1～4任一所述的金属与N型锗接触的制备方法，其特征在于，所述金属层的厚度为50～500nm。
9.根据权利要求1～8任一所述的金属与N型锗接触的制备方法在半导体器件上的应用。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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