[发明专利]存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种存储器的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底表面具有若干平行排列的存储栅结构，相邻存储栅结构之间具有沟槽，所述沟槽包括至少一个源区沟槽和至少一个漏区沟槽，所述源区沟槽和漏区沟槽交错排布，所述源区沟槽底部的衬底内具有若干源区，相邻源区之间具有隔离结构，所述漏区沟槽底部的衬底内具有若干漏区，相邻漏区之间具有隔离结构，且相邻源区沟槽和漏区沟槽内的源区和漏区位置一一对应；

在衬底和存储栅结构表面形成金属膜；

采用退火工艺使金属膜内的金属原子向衬底内扩散，在源区表面形成第一硅化物层，在漏区表面形成第二硅化物层；

在所述退火工艺之后，去除存储栅结构顶部表面、漏区沟槽侧壁和底部表面、以及位于源区沟槽侧壁表面且靠近源区沟槽顶部的部分金属膜，在源区沟槽底部和靠近底部的部分侧壁表面形成金属层，所述金属层与源区沟槽底部的若干第一硅化物层相接触；

在去除部分金属膜之后，在衬底和存储栅结构表面形成填充满源区沟槽和漏区沟槽的介质层；

在所述介质层内形成第一导电结构和若干第二导电结构，若干第二导电结构分别位于若干第二硅化物层表面，所述第一导电结构位于源区沟槽内的金属层表面，且位于相邻漏区沟槽和源区沟槽内的第一导电结构和第二导电结构之间具有预设距离。

2.如权利要求1所述存储器的形成方法，其特征在于，所述去除部分金属膜的工艺包括：在金属膜表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层暴露出存储栅结构顶部表面、漏区沟槽侧壁和底部表面、以及位于源区沟槽侧壁表面且靠近源区沟槽顶部的部分金属膜；在退火工艺之后，以所述第二掩膜层为掩膜，刻蚀所述金属膜，直至暴露出衬底和存储栅结构表面，形成所述金属层；在形成金属层之后，去除第二掩膜层。

3.如权利要求2所述存储器的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层在退火工艺之前或之后形成。

4.如权利要求2所述存储器的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层的形成工艺包括：在金属膜表面形成第二掩膜材料膜；在所述第二掩膜材料膜表面形成底层抗反射层；回刻蚀所述底层抗反射层，使所述底层抗反射层的顶部表面低于存储栅结构的顶部表面；在回刻蚀工艺之后，以所述底层抗反射层为掩膜，刻蚀所述第二掩膜材料膜，直至暴露出金属膜表面为止；在刻蚀所述第二掩膜材料膜之后，去除底层抗反射层以及漏区沟槽内的第二掩膜材料膜，在源区沟槽内形成第二掩膜层。

5.如权利要求2所述存储器的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜层的形成工艺包括：在金属膜表面形成第二掩膜材料膜；采用光刻工艺在源区沟槽内形成底层抗反射层；回刻蚀所述底层抗反射层，使所述底层抗反射层的顶部表面低于存储栅结构的顶部表面；在回刻蚀工艺之后，以所述底层抗反射层为掩膜，刻蚀所述第二掩膜材料膜，直至暴露出金属膜表面为止，形成第二掩膜层；在形成第二掩膜层之后，去除底部抗反射层。

6.如权利要求4或5所述存储器的形成方法，其特征在于，所述第二掩膜材料膜的材料为氧化硅，形成工艺为等离子体增强化学气相沉积工艺、正硅酸乙酯化学气相沉积工艺或氧化工艺。

7.如权利要求1所述存储器的形成方法，其特征在于，所述去除部分金属膜的工艺包括：在退火工艺之后，在金属膜表面形成底层抗反射膜；采用光刻工艺去除漏区沟槽内的底层抗反射膜，在源区沟槽内形成底层抗反射层；回刻蚀所述底层抗反射层，使所述底层抗反射层的顶部表面低于存储栅结构的顶部表面；以所述底层抗反射层为掩膜，刻蚀所述金属膜直至暴露出衬底和部分存储栅结构表面，形成金属层。

8.如权利要求1所述存储器的形成方法，其特征在于，所述存储栅结构包括：位于衬底表面的第一栅介质层、位于第一栅介质层表面的浮栅层、位于浮栅层表面的第二栅介质层、位于第二栅介质层表面的控制栅层、以及位于控制栅层表面的第一掩膜层。

9.如权利要求8所述存储器的形成方法，其特征在于，在形成金属层之前，在所述存储栅结构的侧壁表面形成侧墙。